1.固態(tài)硬盤(pán)性能指標(biāo)：

        順序讀寫(xiě)是我們?nèi)粘Ｊ褂秒娔X做一下數(shù)據(jù)的拷貝，轉(zhuǎn)移時(shí)常見(jiàn)的操作，這是讀寫(xiě)的過(guò)程都是有規(guī)律的序列。所以一般SSD的順序讀取速度都是不會(huì)太慢的。

        4K隨機(jī)讀寫(xiě)一般是指在系統(tǒng)級(jí)別的操作，比如系統(tǒng)開(kāi)關(guān)機(jī)，調(diào)用軟件運(yùn)行等操作時(shí)的讀寫(xiě)速度，因?yàn)檫@些操作調(diào)用的數(shù)據(jù)都是無(wú)規(guī)律的小數(shù)據(jù)，而4KB是目前系統(tǒng)內(nèi)不受壓縮的最小數(shù)據(jù)塊規(guī)模，所以才將4K讀寫(xiě)作為一個(gè)測(cè)試的指標(biāo)。4K的讀寫(xiě)速度越快，說(shuō)明系統(tǒng)的運(yùn)行越流暢，反過(guò)來(lái)也說(shuō)明SSD的性能越強(qiáng)。

2.解析：

存儲(chǔ)基質(zhì): 浮柵晶體管   

SLC：每個(gè)Cell單元存儲(chǔ)1bit信息，也就是只有0、1兩種電壓變化，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，電壓控制也快速，反映出來(lái)的特點(diǎn)就是壽命長(zhǎng)，性能強(qiáng)，P/E壽命在1萬(wàn)到10萬(wàn)次之間，但缺點(diǎn)就是容量低而成本高，畢竟一個(gè)Cell單元只能存儲(chǔ)1bit信息。

MLC：每個(gè)cell單元存儲(chǔ)2bit信息，需要更復(fù)雜的電壓控制，有00,01,10,11四種變化，這也意味著寫(xiě)入性能、可靠性能降低了。其P/E壽命根據(jù)不同制程在3000-5000次不等。

TLC：每個(gè)cell單元存儲(chǔ)3bit信息，電壓從000到001有8種變化，容量比MLC再次增加1/3，成本更低，但是架構(gòu)更復(fù)雜，P/E編程時(shí)間長(zhǎng)，寫(xiě)入速度慢，P/E壽命也降至1000-3000次，部分情況會(huì)更低。壽命短只是相對(duì)而言的，通常來(lái)講，經(jīng)過(guò)重度測(cè)試的TLC顆粒正常使用5年以上是沒(méi)有問(wèn)題的。

QLC：或者可以叫4bit MLC，電壓有16種變化，但是容量能增加33%，就是寫(xiě)入性能、P/E壽命與TLC相比會(huì)進(jìn)一步降低。具體的性能測(cè)試上，美光有做過(guò)實(shí)驗(yàn)。讀取速度方面，SATA接口中的二者都可以達(dá)到540MB/S，QLC表現(xiàn)差在寫(xiě)入速度上，因?yàn)槠銹/E編程時(shí)間就比MLC、TLC更長(zhǎng)，速度更慢，連續(xù)寫(xiě)入速度從520MB/s降至360MB/s，隨機(jī)性能更是從9500 IOPS降至5000 IOPS，損失將近一半。

容量比較：QLC>TLC>MLC>SLC

速度比較：SLC>MLC>TLC>QLC

價(jià)格比較：SLC>MLC>TLC>QLC

 壽命比較：SLC>MLC>TLC>QLC