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1.門極可關(guān)斷晶閘管

門極可關(guān)斷晶閘管（GTO）是一種具有自關(guān)斷能力和晶閘管特性的晶閘管。這種器件可以通過門極來控制其導(dǎo)通和關(guān)斷，因此可以在電力機車的逆變器、電網(wǎng)動態(tài)無功補償和大功率直流斬波調(diào)速等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。

GTO在陽極加正向電壓時，門極加上正向觸發(fā)電流，GTO就導(dǎo)通。在導(dǎo)通的情況下，門極加上足夠大的反向觸發(fā)脈沖電流，GTO就由導(dǎo)通轉(zhuǎn)為阻斷。它的一些性能雖然比絕緣柵雙極晶體管、電力場效應(yīng)管差，但其具有一般晶閘管的耐高壓、電流容量大以及承受浪涌能力強的優(yōu)點。

隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，GTO已逐步取代了普通晶閘管，成為大、中容量變流裝置中的主要開關(guān)器件。

2.電力晶體管

電力晶體管（Giant Transistor—GTR）按英文直譯為巨型晶體管，是一種耐高電壓、大電流的雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT）。它也被稱為Power BJT，其驅(qū)動電路復(fù)雜，驅(qū)動功率大。GTR和普通雙極結(jié)型晶體管的工作原理是一樣的。

3.電力場效應(yīng)晶體管

電力場效應(yīng)晶體管是一種固體半導(dǎo)體器件，也稱為電力場效應(yīng)管，英文簡稱Power MOSFET。它利用柵極電壓來控制漏極電流，具有自關(guān)斷能力和晶閘管特性。這種器件在電力機車的逆變器、電網(wǎng)動態(tài)無功補償和大功率直流斬波調(diào)速等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。

4.絕緣柵雙極晶體管

絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）是一種由雙極結(jié)型晶體管（BJT）和絕緣柵型場效應(yīng)管（MOSFET）組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動式-功率半導(dǎo)體器件，具有自關(guān)斷的特征。IGBT模塊是由IGBT與續(xù)流二極管芯片通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品，具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點。IGBT是能源轉(zhuǎn)換與傳輸?shù)暮诵钠骷?，是電力電子裝置的“CPU”。采用IGBT進行功率變換，能夠提高用電效率和質(zhì)量，具有高效節(jié)能和綠色環(huán)保的特點，是解決能源短缺問題和降低碳排放的關(guān)鍵支撐技術(shù)。