九色国产,午夜在线视频,新黄色网址,九九色综合,天天做夜夜做久久做狠狠,天天躁夜夜躁狠狠躁2021a,久久不卡一区二区三区

打開(kāi)APP
userphoto
未登錄

開(kāi)通VIP,暢享免費(fèi)電子書(shū)等14項(xiàng)超值服

開(kāi)通VIP
開(kāi)發(fā)了具有均勻磚墻結(jié)構(gòu)的有機(jī)半導(dǎo)體 - -從理論上和實(shí)驗(yàn)上證明了優(yōu)異的電荷移動(dòng)特性-

開(kāi)發(fā)了具有均勻磚墻結(jié)構(gòu)的有機(jī)半導(dǎo)體

- -從理論上和實(shí)驗(yàn)上證明了優(yōu)異的電荷移動(dòng)特性-

發(fā)表的要點(diǎn) 本研究小組以前開(kāi)發(fā)的n型有機(jī)半導(dǎo)體BQQDI (注1 )由于特征性的分子間相互作用而具有磚墻型的晶體結(jié)構(gòu),但由于構(gòu)成分子固有的長(zhǎng)軸方向的偏移,磚墻結(jié)構(gòu)不均勻。 此次,通過(guò)引入體積較高的環(huán)己基,成功地使BQQDI分子排列成均勻排列的磚墻,其特性首次通過(guò)理論和實(shí)驗(yàn)表明了其是耐熱運(yùn)動(dòng)干擾電荷傳輸?shù)母咝阅躰型有機(jī)半導(dǎo)體。 通過(guò)高取代基控制集合體結(jié)構(gòu),為今后有機(jī)半導(dǎo)體和有機(jī)電子器件的研究開(kāi)發(fā)加速做出了貢獻(xiàn)。

發(fā)表概要 東京大學(xué)研究生院新領(lǐng)域創(chuàng)建科學(xué)研究科的岡本敏宏副教授、Craig P. Yu研究生(研究當(dāng)時(shí))、熊谷翔平特任助教、竹谷純一教授、筑波大學(xué)數(shù)理物質(zhì)系的石井宏幸副教授(研究當(dāng)時(shí):東京大學(xué)研究生院新領(lǐng)域創(chuàng)建科學(xué)研究科物質(zhì)系專(zhuān)業(yè)特任研究員)、北里大學(xué)理學(xué)系物理學(xué)科的渡邊豪講師、 產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所產(chǎn)綜研東大尖端操作數(shù)測(cè)量技術(shù)開(kāi)放式創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室(注2 )成功地將電子傳輸性( n型)有機(jī)半導(dǎo)體(注3 )分子排列成均勻的磚墻樣式,構(gòu)建了適合高遷移率(注4 )有機(jī)晶體管的框架。 由π電子系分子(注5 )組成的有機(jī)半導(dǎo)體具有可以在低溫下制造、輕量性、靈活性?xún)?yōu)異等特點(diǎn),因此被期待應(yīng)用于近未來(lái)的高端設(shè)備。 例如,IoT社會(huì)(注6 )所需的電子標(biāo)簽和多傳感器需要邏輯電路(注7 ),需要開(kāi)發(fā)高性能的有機(jī)晶體管。 特別是,與以空穴(注8 )為輸送載體的p型有機(jī)半導(dǎo)體(注9 )相比,沒(méi)有進(jìn)行高遷移率、大氣穩(wěn)定性?xún)?yōu)異的n型有機(jī)半導(dǎo)體的開(kāi)發(fā),需要明確n型有機(jī)半導(dǎo)體的分子結(jié)構(gòu)和集合體結(jié)構(gòu)的關(guān)系,并謀求應(yīng)用于有機(jī)晶體管。這次,我們著眼于以前報(bào)告的π電子系中由具有2個(gè)氮的n型有機(jī)半導(dǎo)體BQQDI衍生物(T. Okamotoetal.,ScienceAdvances2020,http://www.k.utokyo.ac.jp/info/entry/22_entry866)(見(jiàn)下紅字譯文形成的磚墻( blic work )型晶體結(jié)構(gòu),開(kāi)發(fā)了新的具有體積高取代基的BQQDI衍生物。其中,在環(huán)狀烷烴即具有環(huán)己基取代基的Cy6?BQQDI中,體現(xiàn)出磚(分子)配置整齊的效果,用理論計(jì)算和有機(jī)晶體管評(píng)價(jià),明確了其表現(xiàn)出各向同性和高的電子輸送能力。 通常,為了提高取代基的溶解性,會(huì)使用直鏈型或支鏈型烷基,但是這次通過(guò)使用更高體積的環(huán)狀取代基,有機(jī)半導(dǎo)體分子得以均勻配置,實(shí)現(xiàn)了高性能化。 根據(jù)本研究成果,在今后的有機(jī)半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)中,將加速廉價(jià)、環(huán)保的高端設(shè)備的開(kāi)發(fā)和有效利用未利用能源的能源中心(注10 )等新一代有機(jī)電子領(lǐng)域的研究開(kāi)發(fā)。本研究成果將于2021年11月11日在國(guó)際科學(xué)雜志《Communications Chemistry》的在線速報(bào)版中公開(kāi)。

發(fā)表內(nèi)容

<研究背景和經(jīng)過(guò)> 作為弱且可逆的分子間力作用下π電子類(lèi)分子結(jié)合的固體的有機(jī)半導(dǎo)體,由于可以在低溫下通過(guò)涂布法(注11 )進(jìn)行成膜、輕量性和柔軟性?xún)?yōu)異等特點(diǎn),被期待為下一代印刷柔性電子(注12 )中的關(guān)鍵材料。 但是,由于通過(guò)重疊的小分子軌道(注13 )進(jìn)行電荷傳輸,并且分子在室溫晶體中熱運(yùn)動(dòng),從而打亂了分子軌道的重疊,因此有機(jī)半導(dǎo)體一般認(rèn)為電荷移動(dòng)率低于1 cm2 V-1 s-1是缺點(diǎn)。 近年來(lái),隨著對(duì)晶體結(jié)構(gòu)和熱運(yùn)動(dòng)(注14 )的理解不斷發(fā)展,p型有機(jī)半導(dǎo)體正在開(kāi)發(fā)具有10 cm2 V-1 s-1級(jí)空穴遷移率的半導(dǎo)體,但沒(méi)有n型有機(jī)半導(dǎo)體具有同等的電子遷移率。 本研究小組近年開(kāi)發(fā)的n型有機(jī)半導(dǎo)體BQQDI衍生物,通過(guò)導(dǎo)入π電子系骨架的氮在相鄰分子間產(chǎn)生相互作用,形成分子軌道重疊二維相連的磚墻型晶體結(jié)構(gòu)(圖1 )。 可以認(rèn)為,通過(guò)該相互作用,最大觀測(cè)到3 cm2 V-1 s-1這一高于傳統(tǒng)普通有機(jī)半導(dǎo)體的電子遷移率,從而抑制了BQQDI衍生物中的分子熱運(yùn)動(dòng)。 另一方面,該BQQDI衍生物由于取代基中含有直鏈烷基和苯基,通過(guò)氮的分子間相互作用產(chǎn)生一定的長(zhǎng)軸偏移,形成了偏移的磚墻結(jié)構(gòu)。 人們認(rèn)為,如果能夠均勻堆積這堵磚墻,分子軌道的重疊就會(huì)變得均勻,從而進(jìn)一步提高遷移率,因此需要找到與之相應(yīng)的取代基。 

  <研究?jī)?nèi)容> 在本研究中,作為具有與迄今為止的直鏈烷基等不同性質(zhì)的取代基,嘗試了引入體積較高的環(huán)狀烷基環(huán)己基。 在此,迄今為止為了合成BQQDI衍生物,一直使用bqqtcda (注15 )作為前體,但該方法無(wú)法以高收率、高純度得到目標(biāo)物Cy6?BQQDI,這次使用的是bqqtcda的前體BQQ?TC (注16 ) 結(jié)果表明,晶體中鄰接的3分子的位置關(guān)系在以往的含有直鏈烷基和苯基的BQQDI衍生物中呈破碎的三角形,而在Cy6?BQQDI中呈等腰三角形。 可以認(rèn)為,BQQDI分子在結(jié)晶時(shí),盡可能使取代基之間不碰撞,但在直鏈烷基或苯基等情況下,由于取代基具有相對(duì)于BQQDI的π電子系骨架平面向一側(cè)伸出的分子結(jié)構(gòu),因此分子之間排列成縱橫錯(cuò)位的三角形 另一方面,據(jù)推測(cè),環(huán)己基的情況下,取代基相對(duì)于π電子系骨架平面上下均等地伸出,因此形成了均等的三角形。 結(jié)果,在Cy6?BQQDI中成功構(gòu)建了均勻的磚墻結(jié)構(gòu)。 另外,通過(guò)能帶計(jì)算(注17 ),推測(cè)出具有源于均等的各向同性電子輸送能力。 另外還表明,通過(guò)使用分子動(dòng)力學(xué)計(jì)算,與具有坍塌磚墻結(jié)構(gòu)的PhC2?BQQDI相比,在Cy6?BQQDI的均勻磚墻結(jié)構(gòu)中,相鄰分子之間的分子軌道重疊不易因熱運(yùn)動(dòng)而紊亂。 根據(jù)以上理論計(jì)算的見(jiàn)解,通過(guò)涂布型單晶晶體管的驗(yàn)證,推測(cè)Cy6?BQQDI與晶體取向無(wú)關(guān),顯示出1.5~2.0 cm2 v-1 s-1的高遷移率。 另外,由于在真空蒸鍍型多晶晶體管中也觀測(cè)到了最大1 cm2 V-1 s-1的高遷移率,因此Cy6?BQQDI所具有的各向異性小且均勻的磚墻結(jié)構(gòu)有望成為高電子遷移率的框架。 <今后的展開(kāi)> 本成果表明,通過(guò)高體積取代基的效果,可以構(gòu)筑均勻的BQQDI衍生物的磚墻結(jié)構(gòu),有望成為高性能n型有機(jī)半導(dǎo)體。 以本成果為基礎(chǔ),通過(guò)探索高體積環(huán)狀烷基的適當(dāng)修飾,認(rèn)為可以實(shí)現(xiàn)具有均勻的磚墻結(jié)構(gòu)且適合涂布法的n型有機(jī)半導(dǎo)體。 因此,今后有望加快有機(jī)電子領(lǐng)域的研究開(kāi)發(fā),如廉價(jià)、環(huán)保的高端設(shè)備、利用未利用能源的能源中心等。 本研究成果是通過(guò)以下事業(yè)研究領(lǐng)域研究課題得到的。 戰(zhàn)略性創(chuàng)造研究推進(jìn)事業(yè)個(gè)人型研究(先驅(qū)) 研究領(lǐng)域“利用微小能源創(chuàng)造創(chuàng)新的環(huán)境發(fā)電技術(shù)” (研究總結(jié):谷口研二大阪大學(xué)名譽(yù)教授、研究副總結(jié):秋永廣幸產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所納米電子研究部門(mén)總結(jié)研究主干) 研究課題“基于有機(jī)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)控制技術(shù)的創(chuàng)新熱電材料的創(chuàng)制” 研究者岡本敏宏(東京大學(xué)研究生院新領(lǐng)域創(chuàng)建科學(xué)研究科副教授) 研究期間平成29年10月~令和3年3月

(圖1 )磚墻結(jié)構(gòu)的例子。 白色虛線表示三塊磚呈等腰三角形狀排列。

(圖2 )使用BQQ?TCDA的傳統(tǒng)BQQDI合成方法和本研究開(kāi)發(fā)的以BQQ?TC為原料的Cy6?BQQDI合成方法

圖3 )以Cy6?BQQDI和PhC2?BQQDI為例的晶體結(jié)構(gòu)和分子結(jié)構(gòu)的不同。 強(qiáng)調(diào)了苯基取代基和環(huán)己基取代基。
發(fā)表者 岡本敏宏(東京大學(xué)研究生院新領(lǐng)域創(chuàng)成科學(xué)研究科物質(zhì)系專(zhuān)業(yè)副教授/ 科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)( JST )先驅(qū)研究者兼務(wù)/ 產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所產(chǎn)綜研東大尖端操作數(shù)測(cè)量技術(shù)開(kāi)放創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室客座研究員兼務(wù)(研究當(dāng)時(shí)) ) Craig P. Yu (東京大學(xué)研究生院新領(lǐng)域創(chuàng)建科學(xué)研究科博士后期課程3年(研究當(dāng)時(shí)) ) 熊谷翔平(東京大學(xué)研究生院新領(lǐng)域創(chuàng)成科學(xué)研究科物質(zhì)系專(zhuān)業(yè)特聘助教) 竹谷純一(東京大學(xué)研究生院新領(lǐng)域創(chuàng)成科學(xué)研究科物質(zhì)系專(zhuān)業(yè)教授/ 材料創(chuàng)新研究中心( MIRC )特聘教授兼務(wù)/ 產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所產(chǎn)綜研東大尖端操作數(shù)測(cè)量技術(shù)開(kāi)放式創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室客座研究員兼務(wù)(研究當(dāng)時(shí)) / 物質(zhì)研究機(jī)構(gòu)國(guó)際納米建筑技術(shù)研究基地( WPI-MANA ) MANA主任研究者(交叉預(yù)約) ) 石井宏幸(筑波大學(xué)數(shù)理物質(zhì)系副教授/ 東京大學(xué)研究生院新領(lǐng)域創(chuàng)成科學(xué)研究科物質(zhì)系專(zhuān)業(yè)特任研究員(研究當(dāng)時(shí)) ) 渡邊豪(北里大學(xué)理學(xué)部物理學(xué)科講師)

発表雑誌

雑誌名:「Communications Chemistry」(2021年11月11日付)
論文タイトル:“Approaching isotropic charge transport of n-type organic semiconductors with bulky substituents”
著者:Craig P. Yu, Naoya Kojima, Shohei Kumagai, Tadanori Kurosawa, Hiroyuki Ishii, Go Watanabe, Jun Takeya, Toshihiro Okamoto*
DOI番號(hào):10.1038/s42004-021-00583-2.

用語(yǔ)解說(shuō) (注1 ) BQQDI 3,4,9,10 -苯并[de]異喹啉四羧酸二亞胺( 3,4,9,10 -苯并[de]異喹啉[ 1,8-GH ] ) 返回參照源 (注2 )產(chǎn)綜研東大前端操作數(shù)測(cè)量技術(shù)開(kāi)放創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室操作數(shù)OIL的標(biāo)志圖像 平成28年6月1日,設(shè)置在東大柏校區(qū)內(nèi)的產(chǎn)綜研和東大的研究據(jù)點(diǎn)。 結(jié)合相互的系列技術(shù),通過(guò)構(gòu)建產(chǎn)學(xué)官網(wǎng),加強(qiáng)與“橋梁”相關(guān)的目的基礎(chǔ)研究,利用尖端操作數(shù)測(cè)量技術(shù),進(jìn)行生物功能性材料、新材料、創(chuàng)新器件等產(chǎn)業(yè)化實(shí)用化的研究開(kāi)發(fā)。 返回參照源 (注3 ) n型半導(dǎo)體 是指電子(電子)攜帶電荷的載體——半導(dǎo)體。 返回參照源 (注4 )遷移率(電荷遷移率) 是空穴或電子的每個(gè)電荷的傳導(dǎo)率,是半導(dǎo)體中電荷移動(dòng)難易度的指標(biāo)。 值越大意味著越容易傳導(dǎo)。 有時(shí)也表示為易激度。 返回參照源 (注5 )π電子類(lèi)分子 具有基于碳原子的主骨架,具有單鍵和雙鍵交替連接的共軛雙鍵的化合物。 特別是,這里開(kāi)發(fā)的BQQDI之類(lèi)的形成環(huán)狀共軛雙鍵并具有芳香族性的化合物被稱(chēng)為芳香族化合物。 返回參照源 (注6 ) IoT 是物的互聯(lián)網(wǎng)( Internet of Things )的縮寫(xiě),是指物經(jīng)由互聯(lián)網(wǎng)進(jìn)行通信。 返回參照源 (注7 )邏輯電路 由晶體管、電阻元件、電容器等構(gòu)成的、邏輯處理數(shù)字信息的電路。 返回參照源 (注8 )空穴 是將半導(dǎo)體中電子脫落后帶正電荷的孔虛擬地看作正電荷的粒子的東西。 也稱(chēng)為大廳。 返回參照源 (注9 ) p型半導(dǎo)體 是指空穴為電荷的載體的半導(dǎo)體。 返回參照源 (注10 )能源背心 將環(huán)境中存在的光、熱、振動(dòng)、電波等能量轉(zhuǎn)換為電力。 返回參照源 (注11 )涂布法 像用墨水在紙上印刷文字一樣,把溶解在有機(jī)溶劑中的有機(jī)半導(dǎo)體印刷在基板上形成半導(dǎo)體膜的方法。 它是有機(jī)半導(dǎo)體最大的優(yōu)勢(shì)之一,可以廉價(jià)大量生產(chǎn)。 返回參照源 (注12 )印刷柔性電子學(xué) 用噴墨打印機(jī)和圖章之類(lèi)的印刷工藝制作塑料之類(lèi)的機(jī)械柔軟的電子設(shè)備的技術(shù)被稱(chēng)為印刷柔性電子器件。 作為實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)的材料,溶解于有機(jī)溶劑、固體柔軟的有機(jī)半導(dǎo)體備受矚目。 返回參照源 (注13 )分子軌道 表示在分子內(nèi)運(yùn)動(dòng)的電子的空間分布。 在有機(jī)半導(dǎo)體中,電荷通過(guò)與鄰接分子的分子軌道的重疊進(jìn)行傳導(dǎo)。 返回參照源 (注14 )熱運(yùn)動(dòng) 由于熱能,分子在固體中進(jìn)行平移旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)(分子間振動(dòng)),有時(shí)會(huì)伴隨分子結(jié)構(gòu)的變形(分子內(nèi)振動(dòng))。 因此,如果相鄰分子間的分子軌道重疊發(fā)生變化,有時(shí)會(huì)阻礙電荷輸送。 由于弱分子間力而聚集的有機(jī)半導(dǎo)體中,室溫能量會(huì)激發(fā)各種熱運(yùn)動(dòng),因此被認(rèn)為是遷移率低的主要原因之一。 返回參照源 (注15 ) BQQ?TCDA 3,4,9,10 -苯并[de]異喹啉四羧酸二酐( 3,4,9,10-benzo [ de ]異喹啉[ 1,8-GH ] QQ 返回參照源 (注16 ) BQQ?TC 3,4,9,10 -苯并[de]異喹啉四羧酸酯( 3,4,9,10 -苯并[de]異喹啉四羧酸酯[ 1,8-GH ] ) 它是合成BQQ?TCDA時(shí)的前體,可以通過(guò)三氯苯酯的酰胺交換進(jìn)行酰亞胺結(jié)合。 返回參照源 (注17 )頻帶計(jì)算 如果原子和分子在固體中規(guī)則排列,通過(guò)鄰接的原子分子間的電子相互作用,就可以形成電子能級(jí)的集合(能帶)。 通過(guò)量子力學(xué)計(jì)算法等計(jì)算能帶結(jié)構(gòu),可以從理論上預(yù)測(cè)遷移率。 返回參照源

世界第一! 成功開(kāi)發(fā)了具有大氣熱偏壓應(yīng)力耐受性的高可靠性且高遷移率電子傳輸性有機(jī)半導(dǎo)體材料

發(fā)表的要點(diǎn) ◆世界上首次成功開(kāi)發(fā)了具有高可靠性、高遷移率、耐環(huán)境壓力、可實(shí)用的涂布型電子傳輸性有機(jī)半導(dǎo)體材料。 ◆成功地開(kāi)發(fā)了基于新的分子設(shè)計(jì)方針的電子輸送性BQQDI骨架。 ◆期待著大幅度加速作為近未來(lái)IoT社會(huì)關(guān)鍵元件的廉價(jià)電子標(biāo)簽和多傳感器的實(shí)用化。
東京大學(xué)研究生院新領(lǐng)域創(chuàng)成科學(xué)研究科副教授岡本敏宏、熊谷翔平特任助教、筑波大學(xué)數(shù)理物質(zhì)系石井宏幸助教、北里大學(xué)理學(xué)部物理學(xué)科講師渡邊豪、產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所產(chǎn)綜研東大前沿操作數(shù)測(cè)量技術(shù)開(kāi)放創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室(注1 ),可靠性高、移動(dòng)度高(注2 )、大氣 由π電子類(lèi)分子(注5 )組成的有機(jī)半導(dǎo)體與電子和空穴(注6 )能夠傳導(dǎo)的以往的無(wú)機(jī)半導(dǎo)體不同,一般空穴容易傳導(dǎo),迄今為止開(kāi)發(fā)了很多空穴傳輸性( p型)有機(jī)半導(dǎo)體(注7 )。 其中,據(jù)報(bào)道,隨著近來(lái)精力充沛的有機(jī)半導(dǎo)體的開(kāi)發(fā),具有比目前實(shí)用的無(wú)機(jī)半導(dǎo)體非晶硅高1位數(shù)以上的10 cm2 V-1 s-1級(jí)空穴遷移率的有機(jī)半導(dǎo)體。 除了該遷移率之外,還報(bào)告了表現(xiàn)出實(shí)用所需的環(huán)境抗壓能力的可印刷的p型有機(jī)半導(dǎo)體材料。 另一方面,為了作為近未來(lái)IoT社會(huì)(注8 )的關(guān)鍵器件的電子標(biāo)簽和多傳感器等高端器件,開(kāi)發(fā)除了與空穴遷移率同等程度的電子遷移率外,還兼具環(huán)境壓力耐受性的電子傳輸性( n型)有機(jī)半導(dǎo)體成為迫切的課題。 研究小組通過(guò)以嶄新合理的分子設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)這一課題,在世界上首次成功開(kāi)發(fā)出了兼具高遷移率和耐環(huán)境壓力性的可實(shí)用涂布型n型有機(jī)半導(dǎo)體——ph C2–bq qdi。 實(shí)驗(yàn)表明,該優(yōu)異的半導(dǎo)體性能主要來(lái)源于與無(wú)機(jī)半導(dǎo)體類(lèi)似的能帶傳導(dǎo)機(jī)制(注9 )。 其次,分子動(dòng)力學(xué)計(jì)算和傳導(dǎo)計(jì)算證實(shí)了分子間振動(dòng)(注10 )是有機(jī)半導(dǎo)體特有的傳導(dǎo)抑制因素,被分子設(shè)計(jì)有效抑制。 此次開(kāi)發(fā)的由ph C2–bq qdi組成的n型有機(jī)半導(dǎo)體,大大加速了利用印刷法(注11 )進(jìn)行的廉價(jià)且低環(huán)境負(fù)荷的電子標(biāo)簽等的開(kāi)發(fā),另外,除了耐熱應(yīng)力性之外, 成為有效利用以具有還原體穩(wěn)定性的帶傳導(dǎo)性ph C2–bq qdi為基礎(chǔ)的未利用能量的能量背心(注12 )、即熱電轉(zhuǎn)換元件(注13 )等下一代印刷柔性電子(注14 )領(lǐng)域的起爆材料 本研究成果于2020年5月1日在美國(guó)科學(xué)振興協(xié)會(huì)( AAAS )“Science Advances”的在線快報(bào)版上公布。
發(fā)表者 岡本敏宏(東京大學(xué)研究生院新領(lǐng)域創(chuàng)成科學(xué)研究科物質(zhì)系專(zhuān)業(yè)副教授/ 科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)( JST )先驅(qū)研究者兼務(wù)/ 產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所產(chǎn)綜研東大尖端操作數(shù)測(cè)量技術(shù)開(kāi)放創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室客座研究員兼務(wù)) 熊谷翔平(東京大學(xué)研究生院新領(lǐng)域創(chuàng)成科學(xué)研究科物質(zhì)系專(zhuān)業(yè)特聘助教) 竹谷純一(東京大學(xué)研究生院新領(lǐng)域創(chuàng)成科學(xué)研究科物質(zhì)系專(zhuān)業(yè)教授/ 材料創(chuàng)新研究中心( MIRC )特聘教授兼務(wù)/ 產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所產(chǎn)綜研東大尖端操作數(shù)測(cè)量技術(shù)開(kāi)放式創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室客座研究員兼務(wù)/ 物質(zhì)研究機(jī)構(gòu)國(guó)際納米建筑技術(shù)研究基地( WPI-MANA ) MANA主任研究者(交叉預(yù)約) ) 石井宏幸(筑波大學(xué)數(shù)理物質(zhì)系助教) 渡邊豪(北里大學(xué)理學(xué)部物理學(xué)科講師)
發(fā)表內(nèi)容 <研究背景和經(jīng)過(guò)> 現(xiàn)在,作為我們?nèi)粘I钪胁豢扇鄙俚男畔⒔K端,智能手機(jī)和筆記本電腦等電子設(shè)備中使用的半導(dǎo)體是以硅為中心的無(wú)機(jī)化合物構(gòu)成的半導(dǎo)體(無(wú)機(jī)半導(dǎo)體)。 無(wú)機(jī)半導(dǎo)體是通過(guò)共價(jià)鍵(注15 )原子之間結(jié)合的固體,可以通過(guò)共價(jià)鍵進(jìn)行電荷傳輸,因此電荷遷移率極高,但另一方面,其笨重、堅(jiān)硬,另外,器件制作需要約300–1000℃的高溫。 與此相反,π電子類(lèi)分子通過(guò)弱分子間力聚合而成的固體有機(jī)半導(dǎo)體,具有輕量且機(jī)械柔軟的特點(diǎn),通過(guò)印刷在低溫下的制作飛躍性地減輕了生產(chǎn)時(shí)的成本和環(huán)境負(fù)荷,被期待作為下一代印刷柔性電子的關(guān)鍵材料。 但是,與無(wú)機(jī)半導(dǎo)體相反,有機(jī)半導(dǎo)體不是共價(jià)鍵,而是通過(guò)分子軌道(注16 )的弱重疊進(jìn)行電荷傳輸,因此電荷遷移率較低。 另外,有報(bào)告稱(chēng),以弱分子間力聚集的有機(jī)半導(dǎo)體分子因熱能在固體中發(fā)生分子運(yùn)動(dòng)(分子間振動(dòng)),從而導(dǎo)致電荷遷移率下降。 因此,為了提高有機(jī)半導(dǎo)體的性能,除了增大分子軌道的重疊外,還設(shè)計(jì)了在固體中有效抑制分子間振動(dòng)的分子設(shè)計(jì)方針,被認(rèn)為是很重要的。 隨著近來(lái)精力充沛的有機(jī)半導(dǎo)體的開(kāi)發(fā),報(bào)告了具有比現(xiàn)在實(shí)用的無(wú)機(jī)半導(dǎo)體的非晶硅高1位數(shù)以上的10 cm2 V-1 s-1級(jí)的空穴遷移率,且顯示出實(shí)用所需的環(huán)境應(yīng)力耐受性的可印刷的p型有機(jī)半導(dǎo)體。 另一方面,為了開(kāi)發(fā)多種高端器件,現(xiàn)狀是要求開(kāi)發(fā)同時(shí)具有與p型相同程度的穩(wěn)定性、處理性和器件性能的實(shí)用的電子輸送性( n型)有機(jī)半導(dǎo)體。
發(fā)表內(nèi)容 <研究背景和經(jīng)過(guò)> 現(xiàn)在,作為我們?nèi)粘I钪胁豢扇鄙俚男畔⒔K端,智能手機(jī)和筆記本電腦等電子設(shè)備中使用的半導(dǎo)體是以硅為中心的無(wú)機(jī)化合物構(gòu)成的半導(dǎo)體(無(wú)機(jī)半導(dǎo)體)。 無(wú)機(jī)半導(dǎo)體是通過(guò)共價(jià)鍵(注15 )原子之間結(jié)合的固體,可以通過(guò)共價(jià)鍵進(jìn)行電荷傳輸,因此電荷遷移率極高,但另一方面,其笨重、堅(jiān)硬,另外,器件制作需要約300–1000℃的高溫。 與此相反,π電子類(lèi)分子通過(guò)弱分子間力聚合而成的固體有機(jī)半導(dǎo)體,具有輕量且機(jī)械柔軟的特點(diǎn),通過(guò)印刷在低溫下的制作飛躍性地減輕了生產(chǎn)時(shí)的成本和環(huán)境負(fù)荷,被期待作為下一代印刷柔性電子的關(guān)鍵材料。 但是,與無(wú)機(jī)半導(dǎo)體相反,有機(jī)半導(dǎo)體不是共價(jià)鍵,而是通過(guò)分子軌道(注16 )的弱重疊進(jìn)行電荷傳輸,因此電荷遷移率較低。 另外,有報(bào)告稱(chēng),以弱分子間力聚集的有機(jī)半導(dǎo)體分子因熱能在固體中發(fā)生分子運(yùn)動(dòng)(分子間振動(dòng)),從而導(dǎo)致電荷遷移率下降。 因此,為了提高有機(jī)半導(dǎo)體的性能,除了增大分子軌道的重疊外,還設(shè)計(jì)了在固體中有效抑制分子間振動(dòng)的分子設(shè)計(jì)方針,被認(rèn)為是很重要的。 隨著近來(lái)精力充沛的有機(jī)半導(dǎo)體的開(kāi)發(fā),報(bào)告了具有比現(xiàn)在實(shí)用的無(wú)機(jī)半導(dǎo)體的非晶硅高1位數(shù)以上的10 cm2 V-1 s-1級(jí)的空穴遷移率,且顯示出實(shí)用所需的環(huán)境應(yīng)力耐受性的可印刷的p型有機(jī)半導(dǎo)體。 另一方面,為了開(kāi)發(fā)多種高端器件,現(xiàn)狀是要求開(kāi)發(fā)同時(shí)具有與p型相同程度的穩(wěn)定性、處理性和器件性能的實(shí)用的電子輸送性( n型)有機(jī)半導(dǎo)體。
<今后的展開(kāi)> 本BQQDI骨架是具有高性能、高穩(wěn)定性乃至高可靠性的前所未有的n型有機(jī)半導(dǎo)體,不僅成為新一代電子學(xué)的研究領(lǐng)域和產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略材料,從柔性基板上的彎曲顯示器出發(fā),更是智能社會(huì)的要素技術(shù)——電子標(biāo)簽和多芯片 另外,本研究開(kāi)發(fā)的n型有機(jī)半導(dǎo)體材料ph C2–bq qdi將于2020年5月上旬由富士膠片和光純藥株式會(huì)社作為試劑銷(xiāo)售。 本研究成果是通過(guò)以下事業(yè)研究領(lǐng)域研究課題得到的。 戰(zhàn)略性創(chuàng)造研究推進(jìn)事業(yè)個(gè)人型研究(先驅(qū)) 研究領(lǐng)域“利用微小能源創(chuàng)造創(chuàng)新的環(huán)境發(fā)電技術(shù)” (研究總結(jié):谷口研二大阪大學(xué)名譽(yù)教授、副研究總結(jié):秋永廣幸產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所納米電子研究部門(mén)總結(jié)研究主干) 研究課題“基于有機(jī)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)控制技術(shù)的創(chuàng)新熱電材料的創(chuàng)制” 研究者岡本敏宏(東京大學(xué)研究生院新領(lǐng)域創(chuàng)建科學(xué)研究科副教授) 研究期間平成29年10月~令和3年3月

発表雑誌

雑誌名:「Science Advances」(2020年5月1日付)

論文タイトル:“Robust, High-Performance n-Type Organic Semiconductors”

著者:Toshihiro Okamoto*, Shohei Kumagai, Eiji Fukuzaki, Hiroyuki Ishii, Go Watanabe, Naoyuki Niitsu, Tatsuro Annaka, Masakazu Yamagishi, Yukio Tani, Hiroki Sugiura, Tetsuya Watanabe, Shun Watanabe, and Jun Takeya

用語(yǔ)解說(shuō) (注1 )產(chǎn)綜研東大尖端操作數(shù)測(cè)量技術(shù)開(kāi)放創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室: 平成28年6月1日,設(shè)置在東大柏校區(qū)內(nèi)的產(chǎn)綜研和東大的研究據(jù)點(diǎn)。 結(jié)合相互的系列技術(shù),通過(guò)構(gòu)建產(chǎn)學(xué)官網(wǎng),加強(qiáng)“橋梁”的目的基礎(chǔ)研究,利用尖端操作數(shù)測(cè)量技術(shù),進(jìn)行生物功能性材料、新材料、創(chuàng)新器件等產(chǎn)業(yè)化實(shí)用化的研究開(kāi)發(fā)。 (注2 )遷移率(電荷遷移率) : 是空穴或電子的每個(gè)電荷的傳導(dǎo)率,是半導(dǎo)體中電荷移動(dòng)難易度的指標(biāo)。 值越大意味著越容易傳導(dǎo)。 有時(shí)也表示為易激度。 (注3 )偏置: 為使晶體管等電路動(dòng)作而施加的電壓。 (注4 ) n型半導(dǎo)體: 是指電子(電子)攜帶電荷的載體——半導(dǎo)體。 (注5 )π電子類(lèi)分子: 具有碳原子主骨架,具有單鍵和雙鍵交替連接的共軛雙鍵的化合物。 特別是,這里開(kāi)發(fā)的BQQDI之類(lèi)的形成環(huán)狀共軛雙鍵并具有芳香族性的化合物被稱(chēng)為芳香族化合物。 (注6 )空穴: 是將半導(dǎo)體中電子脫落后帶正電荷的孔虛擬地看作正電荷的粒子的東西。 也稱(chēng)為大廳。 (注7 ) p型半導(dǎo)體: 是指空穴為電荷的載體的半導(dǎo)體。 (注8 ) IoT : 是物的互聯(lián)網(wǎng)( Internet of Things )的縮寫(xiě),是指物經(jīng)由互聯(lián)網(wǎng)進(jìn)行通信。 (注9 )頻帶傳導(dǎo): 電子作為在晶體中擴(kuò)展的波傳播的導(dǎo)電機(jī)制。 是一種具有高導(dǎo)電性的金屬中的傳導(dǎo)機(jī)制。 (注10 )分子間振動(dòng): 弱分子間力聚集形成固體的有機(jī)分子,即使在室溫下的能量,固體中分子的相對(duì)位置也經(jīng)常發(fā)生變化。 高溫下可以更振動(dòng)的狀態(tài)對(duì)應(yīng)液晶狀態(tài),進(jìn)而可以自由振動(dòng)的狀態(tài)對(duì)應(yīng)液體狀態(tài)。 (注11 )印刷法: 就像用油墨在紙上印刷文字一樣,是把溶解在溶劑中的有機(jī)半導(dǎo)體印刷在基板上形成半導(dǎo)體膜的方法。 有機(jī)半導(dǎo)體的最大優(yōu)點(diǎn)之一,可以廉價(jià)大量生產(chǎn)。 (注12 )能源背心: 將環(huán)境中存在的光、熱、振動(dòng)、電波等能量轉(zhuǎn)換為電力。 (注13 )熱電轉(zhuǎn)換元件: 一種元件,利用當(dāng)固體受到溫差時(shí)會(huì)產(chǎn)生電壓的塞貝克效應(yīng)直接發(fā)電。 (注14 )印刷柔性電子: 用噴墨打印機(jī)和圖章之類(lèi)的印刷工藝制作塑料之類(lèi)的機(jī)械柔軟的電子設(shè)備的技術(shù)被稱(chēng)為印刷柔性電子器件。 作為實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)的材料,溶解于溶劑、固體柔軟的有機(jī)半導(dǎo)體備受矚目。 (注15 )共價(jià)鍵: 原子之間共享電子形成的結(jié)合。 與基于分子間力的結(jié)合相比,強(qiáng)兩位數(shù)左右的結(jié)合。 (注16 )分子軌道: 表示在分子內(nèi)運(yùn)動(dòng)的電子的空間分布。 在有機(jī)半導(dǎo)體中,電荷通過(guò)與鄰接分子的分子軌道的重疊進(jìn)行傳導(dǎo)。 (注17 )氫鍵: 與OH和NH等電負(fù)性高的原子共價(jià)鍵合的氫原子與附近其他官能團(tuán)的非共價(jià)鍵合成的鍵。 (注18 )可靠性因子r : 將根據(jù)有機(jī)晶體管的傳輸特性計(jì)算出的電荷移動(dòng)度的可靠性數(shù)值化。 是最近在NAT.mater.17,2 ( 2018 )中提出導(dǎo)入的因子,也考慮了測(cè)量的傳輸特性的形狀和驅(qū)動(dòng)電壓等,成為評(píng)價(jià)晶體管特性和電荷遷移率可靠性的指標(biāo)之一。 (注19 ) CMOS邏輯電路: 由向柵極施加負(fù)電壓時(shí)導(dǎo)通的MOS型晶體管和向柵極施加正電壓時(shí)導(dǎo)通的MOS型晶體管組成的邏輯電路。 (注20 )包裝結(jié)構(gòu):分子在晶體內(nèi)的排列方法

9 .附件:

圖1 )本研究的n型有機(jī)半導(dǎo)體BQQDI的a )分子結(jié)構(gòu),b )單晶中的相鄰2分子 及c )包裝結(jié)構(gòu)(注20 )樣式

(圖2 )底柵頂接觸型晶體管中的ph C2–bq qdi的a )單晶性薄膜,b )傳輸特性(可靠性因子r ),c )熱應(yīng)力行為

圖3 )底柵-頂接觸型晶體管中的ph C2–bq qdi的單晶薄膜的a )霍爾效應(yīng)測(cè)量,b )分子動(dòng)力學(xué)計(jì)算

本站僅提供存儲(chǔ)服務(wù),所有內(nèi)容均由用戶(hù)發(fā)布,如發(fā)現(xiàn)有害或侵權(quán)內(nèi)容,請(qǐng)點(diǎn)擊舉報(bào)。
打開(kāi)APP,閱讀全文并永久保存 查看更多類(lèi)似文章
猜你喜歡
類(lèi)似文章
?《Science 》子刊:日本開(kāi)發(fā)出史上性能最強(qiáng)大的n-型有機(jī)半導(dǎo)體!
有機(jī)光電你究竟了解多少?
有機(jī)太陽(yáng)能電池
實(shí)現(xiàn)調(diào)整有機(jī)半導(dǎo)體的能量水平:電子激發(fā)態(tài)和電荷輸運(yùn)能級(jí)!
PN結(jié)的動(dòng)畫(huà)
提高開(kāi)發(fā)滯后的N型有機(jī)半導(dǎo)體性能的重要一步——通過(guò)直接觀察電子路徑證明極化子的形成
更多類(lèi)似文章 >>
生活服務(wù)
熱點(diǎn)新聞
分享 收藏 導(dǎo)長(zhǎng)圖 關(guān)注 下載文章
綁定賬號(hào)成功
后續(xù)可登錄賬號(hào)暢享VIP特權(quán)!
如果VIP功能使用有故障,
可點(diǎn)擊這里聯(lián)系客服!

聯(lián)系客服