三星高級(jí)技術(shù)學(xué)院SAIT的研究人員與蔚山國(guó)立科學(xué)技術(shù)學(xué)院UNIST和劍橋大學(xué)合作,發(fā)現(xiàn)了一種名為非晶態(tài)氮化硼(a-BN)的新材料,它可能成為新一代半導(dǎo)體的材料,加速下一代半導(dǎo)體的問世,這項(xiàng)研究已經(jīng)在《自然》雜志上發(fā)表。
最近SAIT一直在研究2D材料——具有單原子層的晶體材料的研究和開發(fā),具體而言該研究所一直致力于石墨烯的研究和開發(fā),并在該領(lǐng)域取得了突破性的研究成果,例如開發(fā)了新的石墨烯晶體管以及生產(chǎn)大面積單晶芯片的新方法,除了研究和開發(fā)石墨烯之外,SAIT還致力于加速材料的商業(yè)化。
新發(fā)現(xiàn)的材料名為非晶態(tài)氮化硼(a-BN),由具有非晶分子結(jié)構(gòu)的硼和氮原子組成。盡管非晶態(tài)氮化硼衍生自白色石墨烯,其中包括以六邊形結(jié)構(gòu)排列的硼和氮原子,但實(shí)際上a-BN的分子結(jié)構(gòu)使其與白色石墨烯擁有獨(dú)特的區(qū)別。
非晶態(tài)氮化硼擁有同類最佳的1.78超低導(dǎo)電系數(shù),擁有強(qiáng)大的電氣與機(jī)械性能,可以用作互連隔離材料以最大程度地減少電干擾。還證明了這種材料可以在僅400℃的溫度下以晶圓級(jí)生長(zhǎng),因此預(yù)計(jì)非晶態(tài)氮化硼將廣泛應(yīng)用在DRAM和NAND這種存儲(chǔ)半導(dǎo)體上,尤其是用于大型服務(wù)器的新一代存儲(chǔ)器當(dāng)中。
SAIT副總裁兼無機(jī)材料實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人Park Seongjun Park說:最近,人們對(duì)2D材料及其衍生的新材料的興趣不斷增加。但是,將這些材料應(yīng)用于現(xiàn)有的半導(dǎo)體工藝依然存在許多挑戰(zhàn)。我們將繼續(xù)開發(fā)新材料來領(lǐng)導(dǎo)半導(dǎo)體的范式轉(zhuǎn)換。
聯(lián)系客服