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4種SSD閃存顆粒,到底有何區(qū)別?

現(xiàn)在的電腦很多都會(huì)采用固態(tài)硬盤(pán),相較于機(jī)械硬盤(pán),固態(tài)硬盤(pán)體積更小,速度更快,優(yōu)勢(shì)明顯。那么對(duì)于固態(tài)硬盤(pán),你了解多少呢?

固態(tài)硬盤(pán)主要由主控、緩存、與閃存顆粒三個(gè)主要部件組成,他們都扮演了什么角色?

首先是主控,它是固態(tài)硬盤(pán)的大腦,你可以簡(jiǎn)單的理解為它是固態(tài)硬盤(pán)的CPU,硬盤(pán)中的數(shù)據(jù)管理,與上集設(shè)備的數(shù)據(jù)連通等等,都是靠它。

然后就是固態(tài)硬盤(pán)的獨(dú)立緩存,并不是所有固態(tài)硬盤(pán)都有獨(dú)立緩存,但具備獨(dú)立緩存的固態(tài)硬盤(pán),它的4K讀寫(xiě)性能就會(huì)更強(qiáng),而如果你的固態(tài)硬盤(pán)作為系統(tǒng)盤(pán),那4K小文件讀寫(xiě)的場(chǎng)景往往更多,所以具備獨(dú)立緩存芯片的固態(tài)硬盤(pán)往往定位更高端。

接下來(lái)就是固態(tài)硬盤(pán)的閃存顆粒,它就是固態(tài)硬盤(pán)專(zhuān)門(mén)負(fù)責(zé)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的部分,性能從高到低排序,分別為SLC、MLC、TLC與QLC,SLC不論在速度上還是顆粒壽命上都是這幾個(gè)里面最優(yōu)的,但目前出于成本的原因,也由于現(xiàn)在的技術(shù)越來(lái)越成熟,目前主流的固態(tài)硬盤(pán)的顆粒,大多為T(mén)LC與QLC?,F(xiàn)在市面上定位中高端的固態(tài)硬盤(pán)往往都是TLC顆粒的,低端則大多為QLC顆粒。

這時(shí)肯定有人會(huì)有個(gè)疑問(wèn),這些顆粒具體的區(qū)別在哪呢?下面咱們來(lái)詳細(xì)說(shuō)下。

SLC

首先這些顆粒類(lèi)型的主要區(qū)別就是層數(shù)不同,SLC全稱(chēng)為Single-Level Cell,也就是單層存儲(chǔ)單元,一單位空間(cell)可以存儲(chǔ)1bit數(shù)據(jù),也就是1bit/cell,單顆粒理論擦寫(xiě)次數(shù)在10萬(wàn)次以上,這代表的就是如果你有一塊SLC顆粒的固態(tài)硬盤(pán),那理論上你可以寫(xiě)滿(mǎn)這塊硬盤(pán)10萬(wàn)次,它才會(huì)壞,但它的問(wèn)題就是存儲(chǔ)成本高。

MLC

而MLC全稱(chēng)為Multi-Level Cell,也就是雙層存儲(chǔ)單元,而它就達(dá)到了2bit/cell,相較于SLC,它的存儲(chǔ)成本更低,但在壽命上,也降低了很多,單顆粒理論擦寫(xiě)次數(shù)在3000-5000次左右。

TLC

然后就是TLC,也是目前主流定位高端的固態(tài)硬盤(pán)大多采用的顆粒類(lèi)型,它的全稱(chēng)為Trinary-Level Cell,也就是三層存儲(chǔ)單元,顧名思義,它可以達(dá)到3bit/cell,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)成本更低,容量是SLC的3倍、MLC的1.5倍。而它的壽命也更低,單顆粒理論擦寫(xiě)次數(shù)在500-3000次。

QLC

最后就是QLC,目前絕大部分定位低端的固態(tài)硬盤(pán)都采用的這個(gè)顆粒類(lèi)型,它的全稱(chēng)為Quad-Level Cell,也就是四層存儲(chǔ)單元,它為4bit/cell,所以存儲(chǔ)成本也是這些顆粒類(lèi)型里最低的,而它的單顆粒理論擦寫(xiě)次數(shù)僅為100-300次左右。

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