富士電機(jī)第五代IGBT模塊詳細(xì)資料 您的訂單 技術(shù)資料 富士功率模塊選型簡介
一、PIM模塊
為了降低變頻駱的成本,并減少變頻器的尺寸。寓士電機(jī)和歐派克采用PIM模塊結(jié)構(gòu)。包括三相全波整流和6—7個IGBT。即變頻器的主回路全部安裝在一個模塊上,在小功率變頻器內(nèi)(11KW以下)均用PIM模塊較為合算。
富士電機(jī)現(xiàn)正常供貨的是S系列7個單元IGBT。在中國市場上己用了幾年時間。應(yīng)用技術(shù)亦比較成熟。而U系列的PIM模塊供貨現(xiàn)尚在努力之中.現(xiàn)主要推出S系列五種型號——面向小功率變頻器。
二、U系列IGBT模塊
U系列為富士電機(jī)第五代IGBT模塊。采用FS新技術(shù),是針對歐派克KE3、KF3系列產(chǎn)品,主要是從降低損耗方面改進(jìn)。富十電機(jī)U系列模塊問世。說明其技術(shù)水平與歐派克同步發(fā)展,產(chǎn)品中的電流定在Tc-80℃標(biāo)出的。高速、低飽和壓降。Vce小于等于2.1V、Ton小于等于1.2微秒。Toss小于等于1.0微秒。Tf小于等于0.3微秒。該系列IGBT模塊的產(chǎn)品性能在國產(chǎn)變頻器產(chǎn)品中推廣應(yīng)用具有廣闊的前景。電流規(guī)格75~450A、1200V,兩個單元為主攻方向。
三、R系列IPM模塊
IPM模塊內(nèi)含有驅(qū)動電路和保護(hù)電路,但區(qū)別PIM的是不含整流橋,該系列亦可以減少變頻器尺寸,方便于結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),適于大批量生產(chǎn)需求。例如,空調(diào)用變頻器均采用IPM模塊。
R系列IPM模塊特點(diǎn)與N、J系列比較元件個數(shù)大幅度下降。利用IGBT芯片過熱保護(hù)功能防止芯片過熱損壞,大大提高可靠性。先主推出的是7個單元幾種型號國內(nèi)已廣泛用于電梯變頻器生產(chǎn)。7個單元已有一定的定貨量,價格方面甚至比同樣電流電壓等級的6個單元要便宜,主攻7個單元1200V等級幾種型號.
四、N系列IGBT模塊
N系列是富上電機(jī)原第三代產(chǎn)品,原來采用傳統(tǒng)PT工藝,該系列在日本本土變頻器生產(chǎn)中早已到廣泛應(yīng)用。之后歐派克出現(xiàn)了采用NPT工藝的第四代IGBT模塊。該系列在1200V和1700V門電壓等級中有獨(dú)特的優(yōu)勢,成本亦大幅度下降。而用于交流380V電壓等級的產(chǎn)品中(相應(yīng)IGBT模塊電壓等級為1200V)毆派克在國產(chǎn)變頻器中占主導(dǎo)市場地位。但NPT工藝的模塊在交流220V電莊等級產(chǎn)品在中(相應(yīng)IGBT模塊電壓等級為600V)其優(yōu)勢不明顯,致使富士電機(jī)N系列600V電壓等級IGBT尚不能被取代。在中國市場上UPS產(chǎn)品主要是單進(jìn)單出(交流220V)占有很大市場。N系列600V電壓等級的IGBT模塊,應(yīng)用對象是UPS產(chǎn)品以及其他交流電壓為220V的電源變換產(chǎn)品
U系列第五代IGBT模塊 600V 2in1
型號 VCES
Volts IC
TC=25oC
@cont.
Amps. PC
@
Watts VCEsat
IC
Tj=25oC
Typ.(V) 封裝 技術(shù)資料
2MBI150U2A-060 600 150 500 1.80
M232 749kb
2MBI200U2A-060 600 200 660 1.85
M232 749kb
2MBI300U2B-060 600 300 1,000 1.80
M233 753kb
2MBI400U2B-060 600 400 1,250 1.85
M233 749kb
2MBI600U2E-060 600 600 2,400 1.85
M247 447kb
U系列第五代IGBT模塊 600V 6in1 EconoPACK™
型號 VCES
Volts IC
TC=25oC
@cont.
Amps. PC
@
Watts VCEsat
IC
Tj=25oC
Typ.(V) 封裝 技術(shù)資料
6MBI75U2A-060 600 75 255 1.85
M711 779kb
6MBI100U2B-060 600 100 380 1.85
M712 763kb
6MBI150U2B-060 600 150 500 1.80
M712 765kb
U系列第五代IGBT模塊 1200V 2in1
型號 VCES
Volts IC
TC=25oC/80oC
@cont.
Amps. PC
@
Watts VCEsat
IC
Tj=25oC
Typ.(V) 封裝 技術(shù)資料
2MBI75UA-120 1200 100/75 400 1.75
M232 102kb
2MBI100UA-120 1200 150/100 540 1.75
M232 102kb
2MBI150UA-120 1200 200/150 735 1.75
M232 102kb
2MBI150UB-120 1200 200/150 780 1.75
M233 102kb
2MBI200UB-120 1200 300/200 1,040 1.75
M233 103kb
2MBI200UC-120 1200 300/200 1,040 1.75
M234 106kb
2MBI200UD-120 1200 300/200 1,040 1.75
M233 104kb
2MBI300UC-120 1200 400/300 1,470 1.75
M234 105kb
2MBI300UD-120 1200 400/300 1,470 1.75
M235 104kb
2MBI300UE-120 1200 450/300 1,660 1.75
M238 105kb
2MBI450UE-120 1200 675/450 2,080 1.75
M238 106kb
U系列第五代IGBT模塊 1200V 3in1
型號 VCES
Volts IC
TC=25oC/80oC
@cont.
Amps. PC
@
Watts VCEsat
IC
Tj=25oC
Typ.(V) 封裝 技術(shù)資料
3MBI150U-120 1200 200/150 735 1.75
M634 116kb
3MBI150UC-120 1200 200/150 735 1.75
M635 126kb
U系列第五代IGBT模塊 1200V 6in1 EconoPACK™
型號 VCES
Volts IC
TC=25oC/80oC
@cont.
Amps. PC
@
Watts VCEsat
IC
Tj=25oC
Typ.(V) 封裝 技術(shù)資料
6MBI50UA-120 1200 75/50 275 1.75
M636 120kb
6MBI75UA-120 1200 100/75 390 1.75
M636 121kb
6MBI75UB-120 1200 100/75 390 1.75
M633 121kb
6MBI75UC-120 1200 100/75 390 1.75
M632 127kb
6MBI100UB-120 1200 150/100 520 1.75
M633 121kb
6MBI100UC-120 1200 150/100 520 1.75
M632 127kb
6MBI150UB-120 1200 200/150 735 1.75
M633 136kb
6MBI225U-120 1200 300/225 1,040 1.75
M629 136kb
6MBI300U-120 1200 300/200 1,385 1.75
M629 138kb
6MBI450U-120 1200 600/450 2,080 1.75
M629 137kb
U系列第五代IGBT模塊 1700V 6in1 EconoPACK™
型號 VCES
Volts IC
TC=25oC/80oC
@cont.
Amps. PC
@
Watts VCEsat
IC
Tj=25oC
Typ.(V) 封裝 技術(shù)資料
6MBI150U-170 1700 225/150 735 1.75
M629 123kb
6MBI225U-170 1700 300/225 1,040 1.75
M629 137kb
6MBI300U-170 1700 400/300 1,385 1.75
M629 137kb
6MBI450U-170 1700 600/450 2,080 1.75
M629 138kb
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