極致的溫控表現(xiàn)——致態(tài)TiPlus5000固態(tài)硬盤測評
2022-06-04 22:05:12 6點贊 8收藏 10評論
在DRAMless
固態(tài)硬盤已經(jīng)成為了主流的今天，長江存儲于2022年4月8日發(fā)售了新款消費級固態(tài)
硬盤產(chǎn)品致態(tài) TiPlus 5000，采用了PCIe Gen3x4，NVMe 1.4接口，致態(tài)的TiPlus 5000系列相比之前的PC005系列取消了DRAM物理緩存，降低了物料成本的同時讓利給消費者，并且升級了最新基于長江存儲晶棧 2.0(Xtacking? 2.0)架構(gòu)的閃存芯片，單顆閃存芯片接口速度高達1600 MB/s，順序讀取3500MB/s，順序?qū)懭?200MB/s，這已經(jīng)是PCIe Gen3x4的速度天花了，又由于采用了單面顆粒設(shè)計的無緩方案，且發(fā)熱量較小，可以更廣泛兼容滿足
臺式機、筆記本升級擴容需求。
這次的主角是致態(tài) TiPlus 5000 1TB版本
正面
背面
打開包裝后里面包含了：快速入門手冊，硬盤主體，附送螺絲。
這次致態(tài)的產(chǎn)品特意的把螺絲放在了包裝內(nèi)部，相比前幾代產(chǎn)品里面都是不含螺絲的，這點值得好評。
硬盤正面
背面
測試平臺
裝機打開CrystalDiskMark看一下
是0寫入0通電時長 3次通電次數(shù)的全新盤
CrystalDiskMark測試一下
測試
TxBENCH測試
通過CrystalDiskMark，ASSSD，TxBENCH的測試數(shù)據(jù)可以看出致態(tài)TiPlus 5000固態(tài)硬盤的最大連續(xù)讀取速度能夠達到在
3600MB/s，而連續(xù)寫入速度也能達到3200MB/s，這已經(jīng)是PCIe Gen3x4接口的性能極限了，而很多帶獨立緩存的固態(tài)硬盤的峰值順序讀寫速度也沒有到達這個水平。
ATTO DISK BENCH MARK
大家都知道采用DRAMless技術(shù)的固態(tài)硬盤免不了會在大數(shù)據(jù)寫入時存在掉速問題，這幾年隨著主控技術(shù)的進步和
內(nèi)存顆粒的升級，采用DRAMless技術(shù)的固態(tài)硬盤在性能上也有了長足的進步，下面測試一下的基于長江存儲晶棧 2.0(Xtacking? 2.0)架構(gòu)下的顆粒在SLC緩存模式下的性能，以及他們調(diào)教的GC緩存釋放策略。
繼續(xù)用HD Tune Pro進行200G混合數(shù)據(jù)讀寫測試。
通過HD Tune的200G讀寫曲線可以看出：
第一段SLC模擬緩存為10G，讀寫速度分別在在2900MB/S ，2400MB/S左右。
第二段SLC模擬緩存為10G-80G，讀寫速度分別在2600MB/S，2400MB/S左右。
第二段SLC模擬緩存為80G-200G，寫入速度有了波動，在800MB/S至1400MB/S之間波動，讀取速度穩(wěn)定在2000MB/S左右。
連續(xù)讀寫操作時溫度控制在52℃左右，比前代PC005要好太多，這個溫度表現(xiàn)可以適合任何支持M.2固態(tài)的筆記本升級了。
從系統(tǒng)盤復(fù)制100G文件到ZHITAI TiPlus 5000里面，全程速度1.6G/S幾乎沒有波動。
總的來說，無緩DRAMless方案的固態(tài)硬盤可以有效的降低物料成本，更好的讓利給消費者，而其性能已經(jīng)可以跑滿pcie3.0接口，與各大國際品牌有緩方案的產(chǎn)品已無體感差異，雖然取消了物理緩存使得傳輸速度有了一些小幅度的波動，但實際使用中并感覺不出差異，且溫度的大幅降低，使得致態(tài) TiPlus 5000相比PC005來說擁有更好的溫控效果，更適合對筆記本平臺進行升級，512G/1T/2T版本分別對應(yīng)300TBW 600TBW/1200TBW的五年質(zhì)保。完全無需擔(dān)心其耐用性問題，畢竟致態(tài)的產(chǎn)品品質(zhì)可是經(jīng)過礦老板們的認(rèn)證的。目前京東日常價699，在這個價位段還是相當(dāng)有競爭力的，比他便宜的沒他性能好，比他性能好的沒有他便宜。馬上618了，小伙伴們需要的可以等等618活動，估計還會有更優(yōu)惠的活動。
