參考

常見(jiàn)SSD固態(tài)硬盤(pán)不拆盤(pán)判斷顆粒的辦法_固態(tài)硬盤(pán)_什么值得買

讀懂固態(tài)硬盤(pán)中的“黑話”-簡(jiǎn)易百科

先需要知道自己的主控是什么，常見(jiàn)的是這些

• Phison = 群聯(lián)

• SMI = 慧榮

• Marvel = 美滿電子（馬牌主控）

• Maxio = 聯(lián)蕓

• Yeestor(SiliconGo) utility = 得一微

我一般的猜測(cè)順序： 雜牌盤(pán)（移速、銓興）先試 Yeestor，然后是 SMI ，Phison ，Marvel

正規(guī)盤(pán)可以跳過(guò) Yeestor 從SMI 開(kāi)始

先從官網(wǎng)下載對(duì)應(yīng)的。下載地址： SSD utils 

這里看到我有5塊硬盤(pán)，我要查看的是第四塊硬盤(pán)，就按3 

可以看到識(shí)別出來(lái)了，這塊是 SMI 2259XA 的主控 

Intel 64L(B17A) TLC 512Gb/CE 512Gb/die

關(guān)于 MLC / TLC /QLC 的區(qū)別強(qiáng)烈建議看硬件茶談這個(gè)

【硬件科普】固態(tài)硬盤(pán)的緩存是干什么的？有緩存和無(wú)緩存有什么區(qū)別？_嗶哩嗶哩_bilibili

 名詞解釋

當(dāng)Bad Block From Pretest大于Original Spare Block Count你就要小心了 

主要就是看這個(gè)，其他額外的參數(shù)如下：

Channel：通道

提到一個(gè)固態(tài)硬盤(pán)的通道數(shù)量，多數(shù)時(shí)候說(shuō)的是閃存通道，但M.2 NVMe固態(tài)硬盤(pán)會(huì)有PCIE通道的參數(shù)。我們這里談的是前者。

閃存通道數(shù)量直接反映了固態(tài)硬盤(pán)的并發(fā)讀寫(xiě)能力?？梢院?jiǎn)單理解為馬路上有多少條車道，顯然通道數(shù)量越多，理論性能越好。當(dāng)然，還有很多影響因素，通道數(shù)量只是一個(gè)底子。

CE：片選信號(hào)

緊跟閃存通道之后的往往就是CE數(shù)量。經(jīng)?？梢栽谝恍┕虘B(tài)硬盤(pán)評(píng)測(cè)中看到這樣的介紹，某某主控支持X通道，每通道支持Y CE。CE是Chip Enable片選的縮寫(xiě)，下圖是一個(gè)東芝閃存顆粒的邏輯結(jié)構(gòu)，2 Die封裝，擁有兩個(gè)CE信號(hào)。

除了通道可以并行提升吞吐量之外，多CE交錯(cuò)也可以提高固態(tài)硬盤(pán)性能。主控的閃存通道以及每通道支持的CE數(shù)量還會(huì)影響它最終能夠提供多大的固態(tài)硬盤(pán)容量。

Package：封裝

我們能夠看到的一顆閃存就是一個(gè)Package封裝，它有TSOP或者BGA兩種形態(tài)，前者的引腳在封裝兩側(cè)引出，后者則在封裝的底部擁有一個(gè)球柵陣列。下圖是東芝TR200固態(tài)硬盤(pán)中使用的TSOP封裝閃存顆粒。TSOP和BGA本身沒(méi)有好壞之分，通常在空間足夠的情況下使用TSOP，而M.2固態(tài)硬盤(pán)則大都選擇封裝密度更高的BGA形態(tài)。BGA封裝還有一個(gè)優(yōu)勢(shì)：每個(gè)顆粒能支持2個(gè)甚至4個(gè)閃存通道，而TSOP只能支持1個(gè)。

我們?cè)谏线吙吹降暮谏w粒并不是閃存的本來(lái)面目，那只是一到多個(gè)芯片通過(guò)引線鍵合或者TSV硅通孔工藝完成連接之后，再用樹(shù)脂材料封裝并引出針腳。而芯片則是從閃存晶圓中摘下的一小片合格晶粒。

俗稱的原片就是由原廠檢測(cè)并封裝、打上原廠商標(biāo)的高品質(zhì)顆粒，原廠固態(tài)硬盤(pán)，比如上面提到的東芝TR200當(dāng)中使用的就是這種類型的閃存。而白片則是未經(jīng)原廠認(rèn)證的不明體制閃存芯片封裝成的閃存顆粒；黑片是在檢測(cè)中明確被淘汰的下腳料，被利益熏心的人低價(jià)回收后賭人品。

Die：這里并不是死的意思

Die也被稱作LUN（邏輯單元），也是閃存內(nèi)可執(zhí)行命令并回報(bào)自身狀態(tài)的最小獨(dú)立單元。下圖是由4個(gè)Plane組成兩個(gè)Die，兩個(gè)die組成的芯片。

單Die容量是衡量閃存技術(shù)先進(jìn)性的一個(gè)指標(biāo)。單Die容量越大意味著閃存存儲(chǔ)密度越高，做出來(lái)的固態(tài)硬盤(pán)容量也就越大。目前東芝第三代3D TLC閃存已經(jīng)實(shí)現(xiàn)512Gb的單Die容量，如果是QLC類型，則能達(dá)到768Gb的水平。

Plane：面

一個(gè)閃存Die可以擁有1到多個(gè)Plane面。下圖是東芝BiCS3閃存的一個(gè)512Gb Die，包含了兩個(gè)256Gb容量的Plane面，總?cè)萘?12Gb。

Block：塊

接下來(lái)就到了微觀領(lǐng)域，通常是無(wú)法直接看到外觀的層級(jí)。NAND閃存自問(wèn)世那一刻起就有一個(gè)恒定不變的使用要求：寫(xiě)入（Program）數(shù)據(jù)前必須先進(jìn)行擦除（Erase），而閃存的最小擦除單位就是Block塊。

Page：頁(yè)

每個(gè)Block都是由數(shù)百乃是數(shù)千個(gè)Page頁(yè)組成的，而Page的意義也非比尋常，它是閃存當(dāng)中能夠讀取合寫(xiě)入的最小單位。當(dāng)前閃存的一個(gè)Page通常是16KB，如果你需要讀取512字節(jié)的數(shù)據(jù)，那在閃存層面上就必須把包含這512字節(jié)數(shù)據(jù)的整個(gè)Page頁(yè)內(nèi)容全部讀出（實(shí)際發(fā)生的讀取16KB）。

Cell：?jiǎn)卧?/strong>

每個(gè)16KB的Page頁(yè)又是由大量的Cell單元構(gòu)成。Cell是閃存的最小工作單位，執(zhí)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的任務(wù)。閃存根據(jù)每個(gè)單元內(nèi)可存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)量分成SLC（1bit/Cell）、MLC（2bit/Cell）、TLC（3bit/Cell）和QLC（4bit/Cell），成本依次降低，容量依次增大，耐用度也依次降低。目前3D TLC是閃存的主力類型，優(yōu)質(zhì)的原廠閃存配合具備LDPC糾錯(cuò)的主控，可以實(shí)現(xiàn)3000次左右的擦寫(xiě)壽命，與過(guò)去2D平面MLC閃存接近。