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隨著人們對腦科學及其應用的日益關注,關于腦與兒童的早期發(fā)展,關于腦與青少年時期的發(fā)展,以及來自腦科學研究對探究式科學教育的支持等重大問題,正越來越引起教育界內外的重視。
“教師博雅”特別邀請教育部原副部長、中國科協(xié)原副主席、中國工程院院士韋鈺,與教育政策制定者、研究者、教育工作者以及家長,共同學習探討腦科學發(fā)展以及對教育的影響,更好地從研究人的發(fā)展規(guī)律出發(fā),促進孩子的成長成才和長遠發(fā)展。
韋鈺
韋鈺,電子學專家,教育家,中國工程院院士,兒童發(fā)展與學習科學教育部重點實驗室學術委員會主任,國家教育咨詢委員會委員。曾任教育部副部長、中國科協(xié)副主席
人腦是怎樣建構長時記憶的
文︱韋鈺
我們強調,腦本質上是化學的信息處理系統(tǒng)。突觸間隙中發(fā)生的電—化學—電的信息轉變過程,是人腦和物理器件組成的計算機本質的區(qū)別所在。在這里,介紹發(fā)生在突觸處有關記憶的過程,以加深大家對人腦信息處理系統(tǒng)特點的認識。
我們常常只是短時間內記住了有些事件和人物,事情過去就忘了。例如像會議上新遇見的人的名字、新?lián)艹龅碾娫捥柎a等。而對有些事件和人物會長期記住,例如,你親近的人的名字、經常使用的電話號碼、常用的外文語句和數(shù)學公式等。這些長時記憶是我們學習的基礎。
在 20 世紀 50—60 年代的認知科學研究中,科學家按照記憶的時間長短對記憶進行分類,將記憶分成感覺記憶、短時記憶和長時記憶。
感覺記憶保留的時間為毫秒到秒級,主要包括視覺圖像記憶、聲音記憶和觸覺記憶幾個部分。視覺記憶可以保持幾百毫秒;而聲音記憶保留的時間可以長至幾秒,甚至達到 20 秒。短時記憶可以保持幾秒到幾分鐘,它的容量大致為 7±2 個單元。例如,你需要臨時記住一個陌生的電話號碼,以便撥通,一般你能記住的位數(shù)是 7±2 位。如果你能把信息“打包”成信息組,你可以記住 7±2 組的信息。長時記憶能保存以天計,或是以年計的信息。
圖1 認知科學中的記憶框架
認 知 科 學 家 Atkinson 和 Stiffrin在 20 世紀 70 年代提出了一個表述這 3種記憶關系的框架模型[1] 。
這個模型的不足之處是沒有考慮信息在腦中處理的過程。實際上,即使是短時記憶,也會在腦中有相應的信息處理過程,處理加工的深度會影響到記憶的質量。同時,短時記憶處理的內容不僅可以直接來自于感覺記憶,也可以從已經存儲在腦中的長時記憶里重新提取出來。因而,隨著對記憶研究的深入,Allan Baddeley 等提出了工作記憶的模型,以修正和補充上述短時記憶的模型[1] 。工作記憶也是短時記憶,例如,它的存儲時間剛好能讓你回答與你交談者的問題。工作記憶模型包括3個部分:執(zhí)行中心以及 2 個從屬的感覺記憶的分系統(tǒng)——聲音回路與視覺—視覺空間初級處理暫存的畫面。執(zhí)行中心負責控制和協(xié)調感覺分系統(tǒng)和長時記憶之間的相互作用。在遇到新的情況時,這個中心也可以起到管理注意系統(tǒng)、調整感覺系統(tǒng)、協(xié)調和計劃行為的作用。工作記憶的執(zhí)行部位位于大腦的前額皮層,這個部位神經元的工作狀態(tài)受神經遞質多巴胺和谷氨酸的影響較大,也就是說它和情緒、食物、健康狀態(tài),以及藥物服用等有關。工作記憶是有限容量的,它的容量隨兒童的不同發(fā)育階段而改變,不同人之間也有差異,有的認知科學家用對工作記憶的評測,預示兒童智力的發(fā)育和差異。
圖2 工作記憶的框架
認知科學中的這些研究并沒有涉及腦中具體發(fā)生的生物過程。在研究記憶的歷史上,一位匿名叫 H.M. 的病人為神經科學中記憶的研究作了重要的貢獻。他因為治療癲癇病,切除了顳葉內側皮層中包括海馬和海馬附近的區(qū)域。手術以后,他保留了離手術時 2 ? 3 年以前的記憶,也保留了其他的智力,但是失去了手術前 2 ? 3 年的記憶,而且更不幸的是失去了將短時記憶轉變成長時記憶的能力,無法再形成可陳述的長時記憶。即使是研究和治療他長達 40多年的醫(yī)生,每次進入他的房間,可以和他正常談話,但是當醫(yī)生走出房間再次進入時,他已經不記得上次的情景,不認識醫(yī)生了,會把醫(yī)生當作陌生人對待。
圖3 分子層次上長時記憶形成的過程
神經科學的發(fā)展逐漸揭示了長時記憶形成的分子基礎。1791 年,Galvanic 用刺激青蛙腿神經和肌肉的方法,揭示了神經元激活的電學性質。1906 年,Cajal 總結出有關神經系統(tǒng)的重要原則—神經系統(tǒng)是由不連續(xù)的神經元組成的。1949 年 Hebb 提出了突觸學習的模型,這個模型被稱為“Hebb 定律”。1973 年,Bliss 和Lomo 第 1 次闡述了在哺乳動物的腦中存在的長時程增強機制(Long-Term Potentiation,LTP)。這些發(fā)現(xiàn)十分重要,它們奠定了在神經生物學分子層次上研究記憶的基礎。
科學家發(fā)現(xiàn)短時記憶和長時記憶的形成都和突觸中發(fā)生的變化有關,是由于神經元之間突觸連接的強度增加了。由于來自外部或內部的刺激,產生的電信號沿軸突傳遞到突觸處,激勵位于突觸前的含有神經遞質的小胞體,使它們釋放出神經遞質。神經遞質經過突觸的間隙,和位于突觸后膜上的受體分子結合,使突出后的神經元被激活,從而該突觸連接的強度被瞬間加強了,或是對后續(xù)信號的靈敏度被瞬間提高了,這時短時記憶就形成了。
如果刺激強度大,或是刺激的重復次數(shù)增加,會啟動位于細胞核中的轉錄因子 CREB。CREB 是一種特殊的蛋白分子,在短時記憶轉變成長時記憶中起到了關鍵的作用。CREB 一旦被激活,就會啟動細胞核中相應的基因,啟動基因的轉錄和表達過程,以產生出新的蛋白。這些新產生的加固突觸的蛋白,會從包圍神經元核的細胞膜中溢出,在神經元內彌散,自動尋找到應該加固的突觸。當突觸的蛋白被加固了,這些突觸的連接的強化就被固定了,長時記憶就形成了(圖3[2] )。
科學家發(fā)現(xiàn)的長時記憶形成的分子機理用實證告訴我們,在我們腦中記憶的內容是建構的。這個建構過程和外界刺激,既和我們的經驗有關,也和我們的基因有關,因此記憶過程是因人而異的。和所有的行為一樣,記憶也是先天基因和后天經驗相互作用、共同決定的。先天基因會影響人的記憶能力,在人之間會有差異,但是后天提供的學習經歷也是很重要的。在神經生物學中,學習可以定義為人或動物通過神經系統(tǒng)接受外界環(huán)境信息而影響自身行為的過程,學習在腦中分子層次發(fā)生的過程是神經元突觸處連接的變化。
腦內長時記憶內容的建構過程又是連續(xù)的。我們學習新的知識,是在原有的記憶基礎上進行的,已經形成的記憶是由突觸中的蛋白結構形成的,并不能簡單地抹去。功能核磁共振圖像也證實了新的記憶不會取代原有的記憶,只是會抑制原有的記憶[3] 。因此,我們強調早期兒童科學教育的重要,要盡可能早地幫助兒童建立正確的科學概念,而且這種建構過程需要有一個逐步建構的學習進展過程,需要從兒童原有的概念出發(fā),需要個性化教育,因材施教,才能有效。
學習科學的概念是這樣,學習其他的知識和獲得其他的能力也是這樣。人在出生以前神經元突觸之間的聯(lián)系就開始建構了,而在出生以后的最初幾年里,腦的發(fā)育很快,突觸連接的建構過程十分重要。兒童早期的建構過程是從低級功能到高級功能的連續(xù)過程,在這個過程中,對不同的功能會呈現(xiàn)一些不同的建構敏感期,即在這個特定的時期里,兒童某種功能的建構比較有效。兒童生而具有強大的學習能力和好奇心,特別是對他們周圍的事物。家庭、學校、同伴社區(qū)和文化都是兒童學習的環(huán)境,兒童有效地進行學習應該在教師的指導下,在有利的環(huán)境和學習共同體中主動地進行。兒童是學習活動的中心。
依靠對腦長期記憶形成分子機理的了解。幫助我們了解和計劃如何能讓兒童更有效地學習。人的一些基本需要能夠滿足時,如睡眠、饑餓等,記憶就可以較好地形成。情緒對形成記憶有很大影響,特別是恐懼。人在恐懼的情況下,一些神經元會變得“靜寂”,而無法工作,缺乏睡眠、饑餓、恐懼和長期的精神壓力會減低兒童學習的效率。感覺記憶有 2 個相對獨立的回路,來自聽覺和視覺,形成長時記憶時,如何有效地運用這 2 個系統(tǒng)是需要研究的,特別在提高第 2 外語學習的效率方面。
如何用重復學習的方法形成長時記憶,多少次數(shù)、間隔時間應該多長等等許多問題還尚待研究。長時記憶的形成和突觸處的神經遞質有關,特別是其中的多巴胺和谷氨酸有關。現(xiàn)在有些醫(yī)藥公司開始提供一些聲稱能提高記憶能力的藥品,主要就是通過服藥,改變突觸處的神經遞質濃度,達到提高記憶能力的目的。這類措施引發(fā)了科學家對科學倫理的激烈討論——能否允許,長期的影響如何,怎樣區(qū)分用于治療和用于提高記憶能力的界限等,都是我們面臨的急需解決的難題。
[1] Michael S Gazzaniga 等著,周曉林、高定國等譯,認知神經科學——關于心智的生物學,中國輕工業(yè)出版社,2011,ISBN 978-7-5019-7856-4
[2] R. D. Fields,Making Memories Stick,Scientific American,F(xiàn)eb. 2005,pp74 ? 81
[3] K. N. Dunbar(2009),The Biology of Physics:The Brain Research about Our Understanding of the Physical World. Physics Education Research Conference,edited by M. Sabella,C. Henderson,and Ch. Singh
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