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2020年完成3nm工藝開發(fā),5G時代三星有什么殺手锏?

集微網(wǎng)(文/Kelven)2019年是5G技術被廣大消費者熟知、接觸的一年。今年年初,三星發(fā)布了第一款5G商用手機Galaxy S10 5G版,率先為消費者提供了能感受5G網(wǎng)絡的終端產(chǎn)品。

三星為什么能這么快提供5G產(chǎn)品,這與其在5G技術上研發(fā)與升級所做得工作努力有關,近日在三星5G技術論壇上,其向集微網(wǎng)分享了三星在5G時代方面的技術信息,接下來為大家解讀三星在5G有哪些技術升級。

自研5G芯片與3nm明年要來了

2019年9月初,三星電子發(fā)布了旗下首款集成5G的芯片Exynos 980。這款芯片采用8nm工藝制程,將5G通信調(diào)制解調(diào)器與高性能移動AP(Application Processor)合二為一。在剛剛過去的 “三星晶圓代工論壇”SFF會議中,三星再次公布了旗下新一代工藝的進展,集微網(wǎng)了解到,其中3nm工藝明年就完成開發(fā)。

據(jù)三星5G研發(fā)技術人員表示,在3nm節(jié)點,三星將從FinFET晶體管轉向GAA環(huán)繞柵極晶體管工藝,其中3nm工藝使用的是第一代GAA晶體管,官方稱之為3GAE工藝。基于全新的GAA晶體管結構,三星通過使用納米片設備制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多橋-通道場效應管),該技術可以顯著增強晶體管性能,主要取代FinFET晶體管技術。

除此之外,MBCFET技術還能兼容現(xiàn)有的FinFET制造工藝的技術及設備,從而加速工藝開發(fā)及生產(chǎn)。與現(xiàn)在的7nm工藝相比,3nm工藝可將核心面積減少百分之四十五,功耗降低百分之五十,性能提升百分之三十五。在工藝進度上,三星今年4月份已經(jīng)在韓國華城的S3 Line工廠生產(chǎn)7nm芯片,今年內(nèi)預計完成4nm工藝開發(fā),2020年預計完成3nm工藝開發(fā)。

端到端的5G解決方案

在5G時代,三星無論是從技術、產(chǎn)品方面都屬于第一梯隊,具體優(yōu)勢體現(xiàn)在以下幾點:第一、在專利方面,三星的5G專利儲備豐富;第二、在3GPP工作組,三星先后共有12位主席或副主席;第三、在毫米波技術的押注、研發(fā)投入上,三星測試的毫米波覆蓋情況視距覆蓋超過1km,非視距覆蓋達到數(shù)百米,同時可以在城市密集區(qū)域和現(xiàn)有4G基站進行共站使用。

目前三星有三款芯片,Modem、電源芯片、射頻芯片,并且均已做好量產(chǎn)準備;網(wǎng)絡設備方面包含5G基站、5G路由器(室內(nèi)、室外)等。三星在5G市場提供的端到端產(chǎn)品服務包含了:端到端的網(wǎng)絡設備射頻芯片、終端芯片、終端、無線網(wǎng)、核心網(wǎng)、網(wǎng)絡規(guī)劃軟件等方面。

相信在未來的5G時代里,三星已經(jīng)做好準備,讓我們期待新技術的來臨。(校對/Kittykwoon)

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