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國產(chǎn)閃存之路

       每年,中國在一種體積很小的產(chǎn)品上花掉的錢遠遠超過那些大宗商品,那就是芯片。2016年,中國在進口芯片上一共花費了1.5萬億人民幣之多,是花費在原油進口上的兩倍。2017年中國芯片市場規(guī)模達到千億美元,占全球芯片市場50%以上。其中存儲芯片市場規(guī)模達到2465.5億元,占國內(nèi)市場比重23.7%,其比重超過CPU、手機基帶芯片。
       雖然PC持續(xù)萎靡多年,但SSD和智能手機的閃存芯片需求的強勢增長已經(jīng)彌補了其他硬件市場需求冷淡的情況。加上今年智能手機的容量進一步增大,將消耗大量閃存芯片,預計42%的閃存芯片產(chǎn)能將用于智能手機,但我國存儲芯片產(chǎn)業(yè)基本空白,幾乎100%依賴進口,近期因韓國薩德部署而號召的“抵制韓貨”,在懂電子行業(yè)的人眼里完全就是一個笑話,姑且不說其它方面,光是閃存顆粒,國內(nèi)眾多手機制造商幾乎就離不開三星電子。

       在固態(tài)硬盤市場方面,因閃存顆粒不足問題所導致的問題就更為嚴重了。過去三年是固態(tài)硬盤發(fā)展的黃金時期,國產(chǎn)SSD品牌因為技術(shù)壁壘、品牌熟知度等問題無法和一線品牌抗衡。但今年各大Flash原廠由于發(fā)力轉(zhuǎn)型研發(fā)3D Flash技術(shù),導致閃存顆粒嚴重缺貨,廉價、非原廠品牌的SSD銷量開始逐步上升,而原廠顆粒受影響銷量下滑。價格自然也水漲船高,所以消費者受價格因素影響不得不選擇此類不良固態(tài)硬盤。
       目前,3D Flash產(chǎn)能仍然嚴峻,良品率低,因此產(chǎn)生的原料非常多。這些原料對于一線品牌是廢品,但到了不良廠商手中卻成了“寶藏”。這些廉價SSD很多采用了黑片,也就是Downgrade顆粒,還有拆機片,這些采用劣質(zhì)顆粒的SSD,趁著漲價之風,打折低價的優(yōu)勢推銷自己的品牌。這樣沒有自主產(chǎn)權(quán),僅靠貼片、造假的國產(chǎn)SSD品牌進一步的降低了消費者對“國產(chǎn)SSD”的信任。
       2016年是閃存芯片轉(zhuǎn)型的一年,各大閃存芯片廠商正在加緊量產(chǎn)3D NAND,這也是全球閃存芯片廠商必爭的制高點。美光、東芝/西部數(shù)據(jù)(WD SanDisk)、SK海力士,英特爾都加入到3D NAND中。預計2017年SSD存儲密度將進一步持續(xù)增加至690億GB當量,較2016年增長57%,有機會取代嵌入式產(chǎn)品成為NAND Flash最大的應用市場,也是Flash原廠和主要模組廠商、OEM廠商等必爭之地,市場競爭也將再次升級。 伴隨著Flash原廠擴大3D NAND量產(chǎn)規(guī)模,大數(shù)據(jù)和核心應用繼續(xù)快速增長,相信2017年是存儲產(chǎn)業(yè)整體快速增長的一年。
       不過大部分原廠在2D NAND到3D NAND的切換階段都經(jīng)歷了產(chǎn)能和成本的陣痛期,三星最早投入3D NAND,到2016年底生產(chǎn)比重才突破35%,東芝、美光、SK海力士幾家占比更是不到10%,從而導致3D NAND上市延后。
大廠規(guī)劃
       三星       64層V-NAND產(chǎn)品 三星已經(jīng)開始了樣品的測試和小規(guī)模試產(chǎn),預計在2017年Q1開始放大試產(chǎn)規(guī)模,預計V-NAND產(chǎn)能的占比在2017年Q1將達到45%。
       東芝/西部數(shù)據(jù)(WD SanDisk)        2016下半年宣布3D技術(shù)向64層提升,年底已小量生產(chǎn)。2017年會把生產(chǎn)主力切換到64層3D NAND量產(chǎn)。
       SK海力士       2017年計劃提升至72層3D NAND量產(chǎn),將在Q1推出樣品,Q2開始小批量生產(chǎn)。
美光 64層3D NAND已于2016年12月送樣,2017年將逐步進入量產(chǎn)階段。
三星西安廠/Fab 17/Fab 18、東芝Fab 2、美光F10x、SK海力士M14都在2017年全面進入3D NAND量產(chǎn)階段,原廠3D NAND產(chǎn)能競賽正在有序開展。
國產(chǎn)閃存芯片布局
       長江存儲       2016年7月,紫光集團收購了武漢新芯,并建立了一個叫長江存儲的合資公司。這個12寸晶圓廠將聚焦在3D NAND Flash的生產(chǎn),他們現(xiàn)在用的半導體設(shè)備和三星在西安工廠所使用的是一樣的(三星的西安工廠只制造32層的NAND Flash,64層的NAND Flash只是在韓國本土制造)。至于具體的量產(chǎn)時間,還沒有披露。
       合肥SKT項目       2017年底建造一個DRMA FAB(不過目前已經(jīng)停止運營)。
       福建晉華項目       準備打造DRAM Fab,預估在2018年第三季度量產(chǎn)。
       其中,目前看來最可行的是長江存儲,他們面臨的最大問題是缺少有經(jīng)驗的人去操作這些設(shè)備。同時還存在另外一種風險,根據(jù)目前的計劃布局,3D NAND產(chǎn)能也許將在2018年緩解。而長江存儲近技術(shù)成熟開始生產(chǎn)時,很可能會遇上產(chǎn)能過剩,或者產(chǎn)品一推出來就面臨激烈的市場競爭。
       因此,有人指出,借存儲涉足半導體產(chǎn)業(yè)鏈是一個很大的風險。一是投資的金額實在太大了,每一代技術(shù)的投資成本都數(shù)十億美元。二是這塊蛋糕雖說市場吸引力很大,但不要忘了現(xiàn)在只是技術(shù)轉(zhuǎn)型的空檔期,才有這么誘人的價格優(yōu)勢,一旦技術(shù)成熟,各家廠家都開始大量出貨時,競爭會變得相當激烈,3、4年前的內(nèi)存條白菜價就是很好的例子。
◇四川 王建銀

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