主存，又稱內(nèi)存，是計算機中重要的部件之一，它是與CPU進行溝通的橋梁。計算機中所有程序的運行都是在內(nèi)存中進行的，因此內(nèi)存的性能對計算機的影響非常大。 內(nèi)存（Memory）也被稱為內(nèi)存儲器，其作用是用于暫時存放CPU中的運算數(shù)據(jù)，以及與硬盤等外部存儲器交換的數(shù)據(jù)。只要計算機在運行中，CPU就會把需要運算的數(shù)據(jù)調(diào)到內(nèi)存中進行運算，當運算完成后CPU再將結(jié)果傳送出來，內(nèi)存的運行也決定了計算機的穩(wěn)定運行。 內(nèi)存是由內(nèi)存芯片、電路板、金手指等部分組成的。
輔存狹義上是我們平時講的硬盤?？茖W地說是外部存儲器（需要通過I/O系統(tǒng)與之交換數(shù)據(jù)，又稱為輔助存儲器）。存儲容量大、成本低、存取速度慢，以及可以永久地脫機保存信息。主要包括磁表面存儲器、軟盤存儲器、磁帶存儲設(shè)備、光盤存儲設(shè)備。
cache 高速緩沖存儲器 一種特殊的存儲器子系統(tǒng)，其中復制了頻繁使用的數(shù)據(jù)以利于快速訪問。存儲器的高速緩沖存儲器存儲了頻繁訪問的 RAM 位置的內(nèi)容及這些數(shù)據(jù)項的存儲地址。當處理器引用存儲器中的某地址時，高速緩沖存儲器便檢查是否存有該地址。如果存有該地址，則將數(shù)據(jù)返回處理器；如果沒有保存該地址，則進行常規(guī)的存儲器訪問。因為高速緩沖存儲器總是比主RAM 存儲器速度快，所以當 RAM 的訪問速度低于微處理器的速度時，常使用高速緩沖存儲器。
RAM（Random Access Memory）隨機存取存儲器 主要用于存儲計算機運行時的程序和數(shù)據(jù)，需要執(zhí)行的程序或者需要處理的數(shù)據(jù)都必須先裝入RAM內(nèi)，是指既可以從該設(shè)備讀取數(shù)據(jù)，也可以往里面寫數(shù)據(jù)。RAM的特點是：計算機通電狀態(tài)下RAM中的數(shù)據(jù)可以反復使用，只有向其中寫入新數(shù)據(jù)時才被更新；斷電后RAM中的數(shù)據(jù)隨之消失。
SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，且功耗較大。所以在主板上SRAM存儲器要占用一部分面積。
ROM（Read Only Memory）只讀存儲器，是指只能從該設(shè)備中讀取數(shù)據(jù)而不能往里面寫數(shù)據(jù)的存儲器。Rom中的數(shù)據(jù)是由設(shè)計者和制造商事先編好固化在里面的一些程序，使用者不能隨意更改。ROM主要用于檢查計算機系統(tǒng)的配置情況并提供最基本的輸入輸出（I/O）程序，如存儲BIOS參數(shù)的CMOS芯片。Rom的特點是計算機斷電后存儲器中的數(shù)據(jù)仍然存在。
PROM （Programmable Read-Only Memory）－可編程只讀存儲器，也叫One-Time Programmable (OTP)ROM“一次可編程只讀存儲器”，是一種可以用程序操作的只讀內(nèi)存。最主要特征是只允許數(shù)據(jù)寫入一次，如果數(shù)據(jù)燒入錯誤只能報廢。
EPROM（Erasable Programmable ROM，可擦除可編程ROM）芯片可重復擦除和寫入，解決了PROM芯片只能寫入一次的弊端。EPROM芯片有一個很明顯的特征，在其正面的陶瓷封裝上，開有一個玻璃窗口，透過該窗口，可以看到其內(nèi)部的集成電路，紫外線透過該孔照射內(nèi)部芯片就可以擦除其內(nèi)的數(shù)據(jù)，完成芯片擦除的操作要用到EPROM擦除器。EPROM內(nèi)資料的寫入要用專用的編程器，并且往芯片中寫內(nèi)容時必須要加一定的編程電壓（VPP=12—24V，隨不同的芯片型號而定）。EPROM的型號是以27開頭的，如27C020(8*256K)是一片2M Bits容量的EPROM芯片。EPROM芯片在寫入資料后，還要以不透光的貼紙或膠布把窗口封住，以免受到周圍的紫外線照射而使資料受損。 EPROM芯片在空白狀態(tài)時（用紫外光線擦除后），內(nèi)部的每一個存儲單元的數(shù)據(jù)都為1（高電平）。
EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)，電可擦可編程只讀存儲器--一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲芯片。 EEPROM 可以在電腦上或?qū)Ｓ迷O(shè)備上擦除已有信息，重新編程。一般用在即插即用。EEPROM（電可擦寫可編程只讀存儲器）是可用戶更改的只讀存儲器（ROM），其可通過高于普通 EEPROM電壓的作用來擦除和重編程（重寫）。不像EPROM芯片，EEPROM不需從計算機中取出即可修改。在一個EEPROM中，當計算機在使用的時候是可頻繁地重編程的，EEPROM的壽命是一個很重要的設(shè)計考慮參數(shù)。EEPROM的一種特殊形式是閃存，其應用通常是個人電腦中的電壓來擦寫和重編程。 EEPROM,一般用于即插即用（Plug & Play）。 常用在接口卡中，用來存放硬件設(shè)置數(shù)據(jù)。 也常用在防止軟件非法拷貝的'硬件鎖'上面。
CD-ROM（Compact Disc Read-Only Memory）即只讀光盤，是一種在電腦上使用的光碟。這種光碟只能寫入數(shù)據(jù)一次，信息將永久保存在光碟上，使用時通過光碟驅(qū)動器讀出信息。CD的格式最初是為音樂的存儲和回放設(shè)計的，1985年，由SONY和飛利浦制定的黃皮書標準使得這種格式能夠適應各種二進制數(shù)據(jù)。有些CD-ROM既存儲音樂，又存儲計算機數(shù)據(jù)，這種CD-ROM的音樂能夠被CD播放器播放，計算機數(shù)據(jù)只能被計算機處理。
Flash Memory，也稱閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷電時仍能保存數(shù)據(jù)，閃存通常被用來保存設(shè)置信息，如在電腦的BIOS（基本輸入輸出程序）、PDA（個人數(shù)字助理）、數(shù)碼相機中保存資料等
RAM
1、Random-Access Memory(隨機存取存儲器)：在計算機的組成結(jié)構(gòu)中，有一個很重要的部分，就是存儲器。存儲器是用來存儲程序和數(shù)據(jù)的部件，對于計算機來說，有了存儲器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲器的種類很多，按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器[或者內(nèi)存儲器和外存儲器]，主存儲器簡稱內(nèi)存。內(nèi)存在電腦中起著舉足輕重的作用。內(nèi)存一般采用半導體存儲單元。因為RAM是內(nèi)存其中最重要的存儲器，所以通常我們直接稱之為內(nèi)存。內(nèi)存就是存儲程序以及數(shù)據(jù)的地方，比如當我們在使用WPS處理文稿時，當你在鍵盤上敲入字符時，它就被存入內(nèi)存中，當你選擇存盤時，內(nèi)存中的數(shù)據(jù)才會被存入硬（磁）盤。RAM就是既可以從中讀取數(shù)據(jù)，也可以寫入數(shù)據(jù)。當機器電源關(guān)閉時，存于其中的數(shù)據(jù)就會丟失。我們通常購買或升級的內(nèi)存條就是用作電腦的內(nèi)存，內(nèi)存條（SIMM）就是將RAM集成塊集中在一起的一小塊電路板，它插在計算機中的內(nèi)存插槽上，以減少RAM集成塊占用的空間。目前市場上常見的內(nèi)存條有 128M／條、256M／條、512M／條等。2、SDRAM（Synchronous DRAM）: 同步動態(tài)隨機存儲器。目前的168線64bit帶寬內(nèi)存基本上都采用SDRAM芯片，工作電壓3.3V電壓，存取速度高達7.5ns，而EDO內(nèi)存最快為15ns。并將RAM與CPU以相同時鐘頻率控制，使RAM與CPU外頻同步，取消等待時間。所以其傳輸速率比EDO DRAM更快。RAM芯片的存儲速度RAM芯片的存儲速度比ROM芯片的速度快,但比Cache的速度慢動態(tài)RAM和靜態(tài)RAM的優(yōu)缺點靜態(tài)RAM是靠雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器來記憶信息的；動態(tài)RAM是靠MOS電路中的柵極電容來記憶信息的。由于電容上的電荷會泄漏，需要定時給與補充，所以動態(tài)RAM需要設(shè)置刷新電路。但動態(tài)RAM比靜態(tài)RAM集成度高、功耗低，從而成本也低，適于作大容量存儲器。所以主內(nèi)存通常采用動態(tài)RAM，而高速緩沖存儲器（Cache）則使用靜態(tài)RAM。另外，內(nèi)存還應用于顯卡、聲卡及CMOS等設(shè)備中，用于充當設(shè)備緩存或保存固定的程序及數(shù)據(jù)。
SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步動態(tài)隨機存儲器，同步是指 Memory工作需要同步時鐘，內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準；動態(tài)是指存儲陣列需要不斷的刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失；隨機是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲，而是自由指定地址進行數(shù)據(jù)讀寫。
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