我看別人的電路中，驅動MOS管，都用了個8腳的芯片。IR2103之類的。
起啥作用？
我想驅動一個小管子:IRF530. Vgs 打開的電壓在3-4V。
用5V單片機的IO口直接驅動行不？ 或者加個驅動，74HC04 ，或者74LS04之類的。
1、增強驅動能力 2、電平轉換 你這個電壓較低，如果頻率較高，還要考慮IO口驅動能力，最好選擇IRL系列邏輯驅動管子
謝謝啦！
那再問個問題，哈，就是我看一般都串個小電阻，幾十歐姆的小電阻，起啥作用啊
MOS驅動器主要起波形整形和加強驅動的作用
如果MOS管的G信號波形不夠陡峭，在點評切換階段會造成大量電能損耗
其副作用是降低電路轉換效率，MOS管發(fā)熱嚴重，易熱損壞
MOS管GS間存在一定電容，如果G信號驅動能力不夠，將嚴重影響波形跳變的時間
至于那個小電阻，功能不是很確定，可能是防止過流吧！
第一點：你說的3-4V是導通電壓，此時的MOSFET雖然導通，但通態(tài)電阻（Rce）比較大，流過大電流時MOSFET發(fā)熱嚴重，所以一般柵極驅動電壓都是在15V左右，驅動IC可以把0-5V信號電壓變成0-15V的驅動電壓，快速完成信號轉變；
第二點：IR的芯片有自舉功能，可以驅動H橋高端的MOSFET而不需要加隔離電路；其次IR芯片的輸出15V驅動電壓有大約400mA的驅動電流（單片機IO最多20mA吧），可以保證MOSFET快速的開通，降低MOSFET的開關損耗。
此外，在一些大電流、高速應用的場合，IR芯片是不用的，因為它的驅動電流還是太小。大電流的MOSFET/IGBT柵極電容很大，又需要快速給柵極電容充電，讓柵極瞬間達到15V，以實現(xiàn)高頻的開關導通功能，顯然400mA太小（實際峰值有的達到十幾A）。還有，開通的過程中，米勒效應會加大柵極的電容，延遲開通過程，如果柵極驅動電流不夠，米勒平臺會很長，MOSFET/IGBT開通損耗更加大。
看看MOSFET/IGBT開通的柵極變化電流示意圖：
再看看米勒效應：
當然，你如果是小功率、低頻應用場合，是不用考慮這些的，只需要給它15V的電壓甚至更低，就行了
你說的幾十Ω電阻是串在柵極上吧？那是Rg電阻，這個電阻很重要。
MOSFET/IGBT柵極有電容和雜散電感、布線電感，驅動柵極時這些電容、電感構成LC震蕩電路，震蕩的電壓幅值會超過柵極安全電壓20V，Rg電阻就是起抑制這個震蕩作用的。Rg越大，柵極驅動電壓變化越平緩，當然開通時間也越長；Rg越小，則柵極驅動電壓變化越強烈，開通時間也越短。一般選值在3-10Ω（大功率、高頻應用場合）。
看看不同Rg的柵極電壓變化
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