科學家簡介
黃昆 (1919-)
黃昆院士，男，1919年9月出生于北京市，1948年獲英國布里斯托大學哲學博士學位，中國科學院半導體研究所名譽所長、研究員。黃昆院士是世界著名的物理學家，在固體物理學科作出了許多開拓性的重大貢獻，對推動固體物理學的發(fā)展起了重要作用，是我國半導體物理學奠基人。
黃昆在固體物理學的一些領域中，進行了開拓性工作。1947年黃昆提出固體中雜質(zhì)缺陷導致X射線漫散射的理論，70年代已為國外一些科學家所證實和應用，成為研究固體中雜質(zhì)缺陷的一項有力的手段，被稱為“黃散射”；近年來國外在中子衍射中還證實了這種漫散射。1950年黃昆與A．里斯一起提出了多聲子的輻射和無輻射躍遷的量子理論。同年蘇聯(lián)C．и．佩卡爾發(fā)表了與黃昆的有關輻射部分相平行的理論，但沒有考慮到無輻射躍遷問題。黃昆和佩卡爾的理論是近年來研究固體雜質(zhì)缺陷光譜和半導體載流子復合的奠基性的工作，被國際上稱為“黃-佩卡爾理論”或“黃-里斯理論”。1951年黃昆提出了晶體中聲子與電磁波的耦合振蕩模式，1963年被喇曼散射實驗所證實，被命名為極化激元，后來發(fā)現(xiàn)其他物質(zhì)振動也有類似的與電磁波的耦合模式，也被稱為極化激元。現(xiàn)在極化激元已經(jīng)成為分析固體某些光學性質(zhì)的基礎。黃昆當時提出的方程，被稱為“黃方程”。黃昆與M．玻恩合著的Dynamical Theory of Crystal Lattices（《點陣動力學理論》，1954年出版，1957年蘇聯(lián)譯成俄文出版）一書是公認的這一學科領域的一部權威著作。
1951年底黃昆回到了剛剛解放不久的新中國，到北京大學物理系任教。為了培養(yǎng)國家急需的科技人才，他毅然中斷了自己進行多年，并已取得卓著成就的固體理論研究，投身于普通物理課程的教學工作，與虞福春、褚圣麟等一起，建立了具有中國特色的普通物理教學體系。
1956年由北京大學、復旦大學、南京大學、吉林大學、廈門大學五校聯(lián)合在北大物理系建立了中國第一個半導體專門化，黃昆任教研室主任，為開創(chuàng)發(fā)展中國半導物理學科的教育事業(yè)；為培養(yǎng)、造就中國半導體技術骨干隊伍，作出了重要貢獻，成為中國半導體物理學科的開創(chuàng)者之一。黃昆先后編寫了《半導體物理學》（與謝希德合著）、《固體物理學》等教材，在中國高等院校固體物理、半導體物理的教學工作中起了有益的作用。
1978年以來黃昆在固體理論研究方面又取得了新的進展。其中關于無輻射躍遷絕熱近似和靜態(tài)耦合理論等價性的證明，澄清了20多年來國際上在這方面理論發(fā)展中存在的一些根本性的問題；黃昆提出的無輻射躍遷中聲子的統(tǒng)計規(guī)律性，有可能為這一領域的研究開辟新的方向。這些成果正引起國際物理學界的關注。
黃昆作為國際著名物理學家，多次進行國際間的學術交流。黃昆擔任了第15、16、17屆國際半導體物理學術會議的國際顧問委員會成員，第13屆半導體中的缺陷國際會議的國際顧問委員會成員。1979年和1984年應邀分別赴意大利和美國講學。1985年7月被選為第三世界科學院院士。
黃昆院士還為我國半導體物理事業(yè)培養(yǎng)了大批人才，很多人已經(jīng)成為我國半導體研究領域和產(chǎn)業(yè)的學術領導人。
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