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串聯(lián)型晶體振蕩器

串聯(lián)型晶體振蕩器

如圖5.3-13所示。這種電路的特點(diǎn)是把石英諧振器作為串聯(lián)諧振電路使用。L、C1和C2組成的振蕩回路調(diào)諧于晶體JT的FB處,在此頻率上,晶體呈現(xiàn)很低阻抗,反饋信號(hào)很強(qiáng),振蕩電路在FA上細(xì)胞質(zhì)振蕩。對于其他頻率.

由于晶體的阻抗迅速增加,反饋減弱,不能產(chǎn)生振蕩。所以,振蕩頻率由晶體控制,穩(wěn)定性高。

晶體置于由兩級(jí)共發(fā)放大器組成的正反饋電路,可構(gòu)成適于低頻的串聯(lián)晶體振蕩電路。

圖5.3-14示出了幾個(gè)實(shí)用的串聯(lián)晶體振蕩電路。圖5.3-14A是BDZ-3-1型三路載波終端機(jī)主振蕩器用的9KHZ串聯(lián)型晶體振蕩電路。當(dāng)晶體等效電感同負(fù)載電容CL串聯(lián)諧振時(shí),阻抗最小,正反饋?zhàn)顝?qiáng),振蕩得以產(chǎn)生,基工作頻率稍高于晶體的FSO第一級(jí)放大(V1)集電極負(fù)載采用LC調(diào)諧回路,利用它的選頻作用,輸出端得到較好的正弦波電壓。調(diào)節(jié)CL,可使頻率達(dá)至標(biāo)稱值。

在圖5.3-14B所示的電路中,晶體工作在感性區(qū),電路的工作頻率稍高于晶體的FAO調(diào)節(jié)電位器RW以調(diào)節(jié)反饋量的大小,可獲得良好的正弦波輸出。

圖5.3-14C所示電路中,不用負(fù)載電容CL(CL=∞),振蕩電路的工作頻率等于晶體的FAO電位器RW的作用與圖5.3-14B中的RW相同。

圖5.3-14D所示電路為適用于高頻的串聯(lián)型晶體振蕩電路,選用JA15型晶體系列工作頻率可

以在1~20MHZ之間。按圖中標(biāo)出的元件數(shù)值,可得到1MHZ的振蕩頻率。

晶體振蕩器的分類

利用CMOS門設(shè)計(jì)晶體振蕩器

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