1.硬盤(pán)的轉(zhuǎn)速(Rotationl Speed)：
也就是硬盤(pán)電機(jī)主軸的轉(zhuǎn)速，轉(zhuǎn)速是決定硬盤(pán)內(nèi)部傳輸率的關(guān)鍵因素之一，它的快慢在很大程度上影響了硬盤(pán)的速度，同時(shí)轉(zhuǎn)速的快慢也是區(qū)分硬盤(pán)檔次的重要標(biāo)志之一。硬盤(pán)的主軸馬達(dá)帶動(dòng)盤(pán)片高速旋轉(zhuǎn)，產(chǎn)生浮力使磁頭飄浮在盤(pán)片上方。要將所要存取資料的扇區(qū)帶到磁頭下方，轉(zhuǎn)速越快，等待時(shí)間也就越短。因此轉(zhuǎn)速在很大程度上決定了硬盤(pán)的速度。目前市場(chǎng)上常見(jiàn)的硬盤(pán)轉(zhuǎn)速一般有5400rpm、7200rpm、甚至10000rpm。理論上，轉(zhuǎn)速越快越好。因?yàn)檩^高的轉(zhuǎn)速可縮短硬盤(pán)的平均尋道時(shí)間和實(shí)際讀寫(xiě)時(shí)間。可是轉(zhuǎn)速越快發(fā)熱量越大，不利于散熱?，F(xiàn)在的主流硬盤(pán)轉(zhuǎn)速一般為7200rpm以上。
隨著硬盤(pán)容量的不斷增大，硬盤(pán)的轉(zhuǎn)速也在不斷提高。然而，轉(zhuǎn)速的提高也帶來(lái)了磨損加劇、溫度升高、噪聲增大等一系列負(fù)面影響。于是，應(yīng)用在精密機(jī)械工業(yè)上的液態(tài)軸承馬達(dá)（Fluid dynamic bearing motors）便被引入到硬盤(pán)技術(shù)中。液態(tài)軸承馬達(dá)使用的是黏膜液油軸承，以油膜代替滾珠。這樣可以避免金屬面的直接磨擦，將噪聲及溫度被減至最低；同時(shí)油膜可有效吸收震動(dòng)，使抗震能力得到提高；更可減少磨損，提高壽命。
2.平均尋道時(shí)間（Average seek time）：
指硬盤(pán)在盤(pán)面上移動(dòng)讀寫(xiě)頭至指定磁道尋找相應(yīng)目標(biāo)數(shù)據(jù)所用的時(shí)間，它描述硬盤(pán)讀取數(shù)據(jù)的能力，單位為毫秒。當(dāng)單碟片容量增大時(shí)，磁頭的尋道動(dòng)作和移動(dòng)距離減少，從而使平均尋道時(shí)間減少，加快硬盤(pán)速度。目前市場(chǎng)上主流硬盤(pán)的平均尋道時(shí)間一般在9ms以下，大于10ms的硬盤(pán)屬于較早的產(chǎn)品，一般不值得購(gòu)買(mǎi)。
3.平均潛伏時(shí)間（Average latency time）：
指當(dāng)磁頭移動(dòng)到數(shù)據(jù)所在的磁道后，然后等待所要的數(shù)據(jù)塊繼續(xù)轉(zhuǎn)動(dòng)到磁頭下的時(shí)間，一般在2ms－6ms之間。
4.平均訪問(wèn)時(shí)間（Average access time）：
指磁頭找到指定數(shù)據(jù)的平均時(shí)間，通常是平均尋道時(shí)間和平均潛伏時(shí)間之和。平均訪問(wèn)時(shí)間最能夠代表硬盤(pán)找到某一數(shù)據(jù)所用的時(shí)間，越短的平均訪問(wèn)時(shí)間越好，一般在11ms－18ms之間。注意：現(xiàn)在不少硬盤(pán)廣告之中所說(shuō)的平均訪問(wèn)時(shí)間大部分都是用平均尋道時(shí)間所代替的。
5.突發(fā)數(shù)據(jù)傳輸率（Burst data transfer rate）：
指的是電腦通過(guò)數(shù)據(jù)總線從硬盤(pán)內(nèi)部緩存區(qū)中所讀取數(shù)據(jù)的最高速率。也叫外部數(shù)據(jù)傳輸率（External data transfer rate）。目前采用UDMA/66技術(shù)的硬盤(pán)的外部傳輸率已經(jīng)達(dá)到了66.6MB/s。
6.最大內(nèi)部數(shù)據(jù)傳輸率（Internal data transfer rate）：
指磁頭至硬盤(pán)緩存間的最大數(shù)據(jù)傳輸率，一般取決于硬盤(pán)的盤(pán)片轉(zhuǎn)速和盤(pán)片數(shù)據(jù)線密度（指同一磁道上的數(shù)據(jù)間隔度）。也叫持續(xù)數(shù)據(jù)傳輸率（sustained transfer rate）。一般采用UDMA/66技術(shù)的硬盤(pán)的內(nèi)部傳輸率也不過(guò)25-30MB/s，只有極少數(shù)產(chǎn)品超過(guò)30MB/s，由于內(nèi)部數(shù)據(jù)傳輸率才是系統(tǒng)真正的瓶頸，因此大家在購(gòu)買(mǎi)時(shí)要分清這兩個(gè)概念。不過(guò)一般來(lái)講，硬盤(pán)的轉(zhuǎn)速相同時(shí)，單碟容量大的內(nèi)部傳輸率高；在單碟容量相同時(shí)，轉(zhuǎn)速高的硬盤(pán)的內(nèi)部傳輸率高。
7.自動(dòng)檢測(cè)分析及報(bào)告技術(shù)（Self-Monitoring Analysis and Report Technology，簡(jiǎn)稱(chēng)S.M.A.R.T）:
現(xiàn)在出廠的硬盤(pán)基本上都支持S.M.A.R.T技術(shù)。這種技術(shù)可以對(duì)硬盤(pán)的磁頭單元、盤(pán)片電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、硬盤(pán)內(nèi)部電路以及盤(pán)片表面媒介材料等進(jìn)行監(jiān)測(cè)，當(dāng)S.M.A.R.T監(jiān)測(cè)并分析出硬盤(pán)可能出現(xiàn)問(wèn)題時(shí)會(huì)及時(shí)向用戶報(bào)警以避免電腦數(shù)據(jù)受到損失。S.M.A.R.T技術(shù)必須在主板支持的前提下才能發(fā)生作用，而且S.M.A.R.T技術(shù)也不能保證能預(yù)報(bào)出所有可能發(fā)生的硬盤(pán)故障。
8.磁阻磁頭技術(shù)MR(Magneto－Resistive Head)：
MR(MAGNETO-RESITIVEHEAD)即磁阻磁頭的簡(jiǎn)稱(chēng)。MR技術(shù)可以更高的實(shí)際記錄密度、記錄數(shù)據(jù)，從而增加硬盤(pán)容量，提高數(shù)據(jù)吞吐率。目前的MR技術(shù)已有幾代產(chǎn)品。MAXTOR的鉆石三代/四代等均采用了最新的MR技術(shù)。磁阻磁頭的工作原理是基于磁阻效應(yīng)來(lái)工作的，其核心是一小片金屬材料,其電阻隨磁場(chǎng)變化而變化,雖然其變化率不足2%,但因?yàn)榇抛柙B著一個(gè)非常靈敏的放大器,所以可測(cè)出該微小的電阻變化。MR技術(shù)可使硬盤(pán)容量提高40%以上。GMR（GiantMagnetoresistive）巨磁阻磁頭GMR磁頭與MR磁頭一樣，是利用特殊材料的電阻值隨磁場(chǎng)變化的原理來(lái)讀取盤(pán)片上的數(shù)據(jù)，但是GMR磁頭使用了磁阻效應(yīng)更好的材料和多層薄膜結(jié)構(gòu)，比MR磁頭更為敏感，相同的磁場(chǎng)變化能引起更大的電阻值變化，從而可以實(shí)現(xiàn)更高的存儲(chǔ)密度，現(xiàn)有的MR磁頭能夠達(dá)到的盤(pán)片密度為3Gbit－5Gbit/in2（千兆位每平方英寸），而GMR磁頭可以達(dá)到10Gbit－40Gbit/in2以上。目前GMR磁頭已經(jīng)處于成熟推廣期，在今后的數(shù)年中，它將會(huì)逐步取代MR磁頭，成為最流行的磁頭技術(shù)。
9.緩存：
緩存是硬盤(pán)與外部總線交換數(shù)據(jù)的場(chǎng)所。硬盤(pán)的讀數(shù)據(jù)的過(guò)程是將磁信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào)后，通過(guò)緩存一次次地填充與清空，再填充，再清空，一步步按照PCI總線的周期送出，可見(jiàn)，緩存的作用是相當(dāng)重要的。在接口技術(shù)已經(jīng)發(fā)展到一個(gè)相對(duì)成熟的階段的時(shí)候，緩存的大小與速度是直接關(guān)系到硬盤(pán)的傳輸速度的重要因素。目前主流硬盤(pán)的緩存主要有512KB和2MB等幾種。其類(lèi)型一般是EDO DRAM或SDRAM，目前一般以SDRAM為主。根據(jù)寫(xiě)入方式的不同，有寫(xiě)通式和回寫(xiě)式兩種。寫(xiě)通式在讀硬盤(pán)數(shù)據(jù)時(shí)，系統(tǒng)先檢查請(qǐng)求指令，看看所要的數(shù)據(jù)是否在緩存中，如果在的話就由緩存送出響應(yīng)的數(shù)據(jù)，這個(gè)過(guò)程稱(chēng)為命中。這樣系統(tǒng)就不必訪問(wèn)硬盤(pán)中的數(shù)據(jù)，由于SDRAM的速度比磁介質(zhì)快很多，因此也就加快了數(shù)據(jù)傳輸?shù)乃俣??；貙?xiě)式就是在寫(xiě)入硬盤(pán)數(shù)據(jù)時(shí)也在緩存中找，如果找到就由緩存就數(shù)據(jù)寫(xiě)入盤(pán)中，現(xiàn)在的多數(shù)硬盤(pán)都是采用的回寫(xiě)式硬盤(pán)，這樣就大大提高了性能。
10.連續(xù)無(wú)故障時(shí)間（MTBF）：
指硬盤(pán)從開(kāi)始運(yùn)行到出現(xiàn)故障的最長(zhǎng)時(shí)間。一般硬盤(pán)的MTBF至少在30000或40000小時(shí)。
11.部分響應(yīng)完全匹配技術(shù)PRML(Partial Response Maximum Likelihood)：
它能使盤(pán)片存儲(chǔ)更多的信息，同時(shí)可以有效地提高數(shù)據(jù)的讀取和數(shù)據(jù)傳輸率。是當(dāng)前應(yīng)用于硬盤(pán)數(shù)據(jù)讀取通道中的先進(jìn)技術(shù)之一。PRML技術(shù)是將硬盤(pán)數(shù)據(jù)讀取電路分成兩段“操作流水線”，流水線第一段將磁頭讀取的信號(hào)進(jìn)行數(shù)字化處理然后只選取部分“標(biāo)準(zhǔn)”信號(hào)移交第二段繼續(xù)處理，第二段將所接收的信號(hào)與PRML芯片預(yù)置信號(hào)模型進(jìn)行對(duì)比，然后選取差異最小的信號(hào)進(jìn)行組合后輸出以完成數(shù)據(jù)的讀取過(guò)程。PRML技術(shù)可以降低硬盤(pán)讀取數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤率，因此可以進(jìn)一步提高磁盤(pán)數(shù)據(jù)密集度。
12.單磁道時(shí)間（Single track seek time）：
指磁頭從一磁道轉(zhuǎn)移至另一磁道所用的時(shí)間。
13.超級(jí)數(shù)字信號(hào)處理器(Ultra DSP)技術(shù)：
應(yīng)用Ultra DSP進(jìn)行數(shù)學(xué)運(yùn)算，其速度較一般CPU快10到50倍。采用Ultra DSP技術(shù)，單個(gè)的DSP芯片可以同時(shí)提供處理器及驅(qū)動(dòng)接口的雙重功能，以減少其它電子元件的使用，可大幅度地提高硬盤(pán)的速度和可靠性。接口技術(shù)可以極大地提高硬盤(pán)的最大外部傳輸率，最大的益處在于可以把數(shù)據(jù)從硬盤(pán)直接傳輸?shù)街鲀?nèi)存而不占用更多的CPU資源，提高系統(tǒng)性能。
14.硬盤(pán)表面溫度：
指硬盤(pán)工作時(shí)產(chǎn)生的溫度使硬盤(pán)密封殼溫度上升情況。硬盤(pán)工作時(shí)產(chǎn)生的溫度過(guò)高將影響薄膜式磁頭(包括MR磁頭)的數(shù)據(jù)讀取靈敏度，因此硬盤(pán)工作表面溫度較低的硬盤(pán)有更好的數(shù)據(jù)讀、寫(xiě)穩(wěn)定性。
15.全程訪問(wèn)時(shí)間（Max full seek time）：
指磁頭開(kāi)始移動(dòng)直到最后找到所需要的數(shù)據(jù)塊所用的全部時(shí)間。
16.接口技術(shù)：
接口技術(shù)可極大地提高硬盤(pán)的最大外部數(shù)據(jù)傳輸率,現(xiàn)在普遍使用的ULTRAATA/66已大幅提高了E-IDE接口的性能,所謂UltraDMA66是指一種由Intel及Quantum公司設(shè)計(jì)的同步DMA協(xié)議。使用該技術(shù)的硬盤(pán)并配合相應(yīng)的芯片組，最大傳輸速度可以由16MB/s提高到66MS/s。它的最大優(yōu)點(diǎn)在于把CPU從大量的數(shù)據(jù)傳輸中解放出來(lái)了，可以把數(shù)據(jù)從HDD直接傳輸?shù)街鞔娑徽加酶嗟腃PU資源，從而在一定程度上提高了整個(gè)系統(tǒng)的性能。由于采用ULTRAATA技術(shù)的硬盤(pán)整體性能比普通硬盤(pán)可提高20%～60%,所以已成為目前E-IDE硬盤(pán)事實(shí)上的標(biāo)準(zhǔn)。
SCSI硬盤(pán)的接口技術(shù)也在迅速發(fā)展。Ultra160/mSCSI被引入硬盤(pán)世界，對(duì)硬盤(pán)在高計(jì)算量應(yīng)用領(lǐng)域的性能擴(kuò)展極有裨益，處理關(guān)鍵任務(wù)的服務(wù)器、圖形工作站、冗余磁盤(pán)陣列（RAID）等設(shè)備將因此得到性能提升。從技術(shù)發(fā)展看，Ultra160/mSCSI僅僅是硬盤(pán)接口發(fā)展道路上的一環(huán)而已，200MB的光纖技術(shù)也遠(yuǎn)未達(dá)到止境，未來(lái)的接口技術(shù)必將令今天的用戶瞠目結(jié)舌。
光纖通道技術(shù)具有數(shù)據(jù)傳輸速率高、數(shù)據(jù)傳輸距離遠(yuǎn)以及可簡(jiǎn)化大型存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn)。目前，光纖通道支持每秒200MB的數(shù)據(jù)傳輸速率，可以在一個(gè)環(huán)路上容納多達(dá)127個(gè)驅(qū)動(dòng)器，局域電纜可在25米范圍內(nèi)運(yùn)行，遠(yuǎn)程電纜可在10公里范圍內(nèi)運(yùn)行。某些專(zhuān)門(mén)的存儲(chǔ)應(yīng)用領(lǐng)域，例如小型存儲(chǔ)區(qū)域網(wǎng)絡(luò)（SAN）以及數(shù)碼視像應(yīng)用，往往需要高達(dá)每秒200MB的數(shù)據(jù)傳輸速率和強(qiáng)勁的聯(lián)網(wǎng)能力，光纖通道技術(shù)的推出正適應(yīng)了這一需求。同時(shí)，其超長(zhǎng)的數(shù)據(jù)傳輸距離，大大方便了遠(yuǎn)程通信的技術(shù)實(shí)施。由于光纖通道技術(shù)的優(yōu)越性，支持光纖界面的硬盤(pán)產(chǎn)品開(kāi)始在市場(chǎng)上出現(xiàn)。這些產(chǎn)品一般是大容量硬盤(pán)，平均尋道時(shí)間短，適應(yīng)于高速、高數(shù)據(jù)量的應(yīng)用需求，將為中高端存儲(chǔ)應(yīng)用提供良好保證。
17、IEEE1394：
IEEE1394又稱(chēng)為Firewire（火線）或P1394，它是一種高速串行總線，現(xiàn)有的IEEE1394標(biāo)準(zhǔn)支持100Mbps、200Mbps和400Mbps的傳輸速率，將來(lái)會(huì)達(dá)到800Mbps、1600Mbps、3200Mbps甚至更高，如此高的速率使得它可以作為硬盤(pán)、DVD、CD－ROM等大容量存儲(chǔ)設(shè)備的接口。IEEE1394將來(lái)有望取代現(xiàn)有的SCSI總線和IDE接口，但是由于成本較高和技術(shù)上還不夠成熟等原因，目前仍然只有少量使用IEEE1394接口的產(chǎn)品，硬盤(pán)就更少了。
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